Muisti

MT28F320J3FS-11 ET TR

osa: 10057

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR

osa: 1331

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 933MHz,

MT46V32M8TG-6T:G TR

osa: 423

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

PC28F256P30B85A

osa: 9697

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 52MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 85ns,

M29F040B70K6E TR

osa: 8785

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

MT46V64M4FG-6:G TR

osa: 495

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (64M x 4), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V128M4P-6T:F

osa: 6698

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (128M x 4), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V64M8TG-6T IT:F TR

osa: 8744

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V16M16FG-6 L:F

osa: 6829

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT48LC16M8A2TG-75:G TR

osa: 1265

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V32M16TG-6T IT:F TR

osa: 7622

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

TE28F160C3BD70A

osa: 7310

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - Boot Block, Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

osa: 1001

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

MT53E512M64D4NW-053 WT:E TR

osa: 85

MT47H32M16CC-5E L:B TR

osa: 8496

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

M29W160ET90ZA6T TR

osa: 9414

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 90ns,

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E

osa: 125

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT46V32M8FG-5B:G TR

osa: 2057

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR

osa: 114

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT53D1024M32D4DT-053 AIT:D

osa: 137

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (1G x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT47H32M16BT-3:A TR

osa: 946

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 333MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

JS28F256P30T95A

osa: 2986

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 40MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 95ns,

MT46V32M4TG-5B:D

osa: 7743

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 128Mb (32M x 4), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V64M4P-5B:G TR

osa: 8094

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (64M x 4), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V16M16TG-6T:F TR

osa: 252

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V64M8TG-75 L:D TR

osa: 922

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR

osa: 1056

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT48LC32M16A2TG-75 IT:C TR

osa: 1307

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MTFC128GAJAEDN-IT

osa: 74

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8),

JS28F128P30B85A

osa: 9603

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 40MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 85ns,

MT53D512M64D4HR-053 WT:D

osa: 74

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

PC28F640P30T85A

osa: 9614

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 52MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 85ns,

M29W800DB70N6T TR

osa: 1852

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

MT46V128M4FN-6:F TR

osa: 8704

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (128M x 4), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

M29W320DB70ZA6

osa: 7454

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

MT44K32M36RB-093E:A

osa: 125

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 1.125Gb (32Mb x 36), Kellotaajuus: 1067MHz,