Muisti

MT46V64M8P-6T IT:F TR

osa: 8125

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT44K32M36RB-107E:A TR

osa: 1168

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 1.125Gb (32Mb x 36), Kellotaajuus: 933MHz,

MT44K32M36RB-107E:A

osa: 48

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 1.125Gb (32Mb x 36), Kellotaajuus: 933MHz,

MTFC64GAJAECE-AAT TR

osa: 36

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8),

MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D TR

osa: 108

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (1G x 32), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT45W1MW16BABB-706 WT TR

osa: 2041

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: PSRAM, Teknologia: PSRAM (Pseudo SRAM), Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

MT48LC8M32LFB5-8 TR

osa: 2005

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 125MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V32M16P-6T:F

osa: 7386

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46H8M16LFCF-10

osa: 6383

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT53D512M64D4SB-046 XT:E

osa: 136

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT48LC16M16A2FG-75:D TR

osa: 1062

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT48H8M32LFB5-8 IT TR

osa: 989

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 125MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

JS28F160C3BD70A

osa: 9744

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - Boot Block, Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

MT46V16M16FG-6 L:F TR

osa: 6953

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT44K64M18RB-093E:A TR

osa: 970

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 1.125Gb (64Mb x 18), Kellotaajuus: 1067MHz,

M25P05-AVMN6T TR

osa: 9358

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kellotaajuus: 50MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ms, 5ms,

MT46V64M16P-75:A TR

osa: 7988

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT45W8MW16BGX-708 WT TR

osa: 2037

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: PSRAM, Teknologia: PSRAM (Pseudo SRAM), Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 80MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

M29W040B90K6

osa: 8851

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 90ns,

MTFC64GAJAEDN-AIT

osa: 108

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8),

MT48LC8M16A2TG-75 IT:G TR

osa: 1916

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V8M16TG-6T L:D TR

osa: 946

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT28HL32GQBB6EBL-0GCT

osa: 902

MT46V64M16P-75:A

osa: 8069

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT47H64M8CB-5E IT:B

osa: 8592

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT47H32M16CC-3E:B

osa: 8411

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 333MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT47H128M8BT-3 L:A

osa: 8310

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 333MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A TR

osa: 703

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8), Kellotaajuus: 100MHz,

MT48LC16M16A2BG-75 IT:D TR

osa: 9428

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V128M8P-75:A TR

osa: 6760

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MTA8ATF1G64HZ-2G6E1

osa: 78

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 64Gb (1G x 64), Kellotaajuus: 1333MHz,

MT46V64M4TG-5B:G TR

osa: 535

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (64M x 4), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT48LC2M32B2TG-6:G TR

osa: 1238

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D

osa: 120

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (1G x 32), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT52L512M64D4PQ-107 WT:B

osa: 1256

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 933MHz,

MT48LC64M8A2TG-75:C TR

osa: 1927

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,