Muisti

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E

osa: 42

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

M25P80-VMP6T TR

osa: 7607

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 8Mb (1M x 8), Kellotaajuus: 75MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ms, 5ms,

MT48LC16M16A2P-75 IT:D TR

osa: 1115

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT48LC8M16LFTG-75M:G

osa: 2675

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT53E1G32D4NQ-053 WT:E

osa: 100

MT46V32M16TG-6T:F

osa: 7650

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT49H16M36SJ-18 IT:B

osa: 1209

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (16M x 36), Kellotaajuus: 533MHz,

MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V

osa: 59

MT46V16M16BG-6:F TR

osa: 9319

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V128M4TG-6T:F TR

osa: 8707

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (128M x 4), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V256M4P-75:A TR

osa: 7046

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 1Gb (256M x 4), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V64M8FN-6 IT:F TR

osa: 8109

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT48LC16M16A2P-75 L:D TR

osa: 9430

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MTFC64GAKAEEY-3M WT

osa: 1097

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8),

MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B

osa: 130

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1.5Tb (192G x 8),

MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR

osa: 616

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT46V128M4P-5B:F

osa: 6662

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (128M x 4), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT48LC16M16A2P-7E IT:D TR

osa: 9415

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

MTFC64GAJAECE-AIT TR

osa: 76

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8),

MT48LC32M8A2TG-7E:D TR

osa: 1397

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

MT46V8M16TG-6T IT:D TR

osa: 890

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V256M4P-6T:A

osa: 7004

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 1Gb (256M x 4), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT48LC2M32B2P-7 IT:G TR

osa: 1304

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 143MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

MTFC64GAKAEYF-4M IT

osa: 123

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8),

MTFC128GAPALNS-AAT TR

osa: 57

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8),

M29W320EB70ZE6E

osa: 39107

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

M29F800DB70N6

osa: 8837

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR

osa: 77

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT29F128G08AKCABH2-10Z:A

osa: 714

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8), Kellotaajuus: 100MHz,

MTFC128GAOANAM-WT

osa: 77

MT29F2G08AABWP-ET TR

osa: 6025

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 2Gb (256M x 8),

M29W400BB90N6

osa: 925

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 90ns,

M29W320DB70N6

osa: 8905

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

MT28F128J3FS-12 ET TR

osa: 10048

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

MTFC64GAKAEEY-3M WT TR

osa: 1079

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8),

MTFC64GAJAEDQ-AIT

osa: 104

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8),