Transistorit - IGBT-moduulit

IRG5U75HH12E

osa: 3109

Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Teho - maks: 540W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 75A,

FZ2400R12HE4PB9HPSA1

osa: 607

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2400A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 2400A,

FS50R06W1E3BOMA1

osa: 313

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Teho - maks: 205W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

DD1200S12H4HOSA1

osa: 570

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1200A, Teho - maks: 1200000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 1200A,

FS50R07N2E4BOSA1

osa: 298

Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Teho - maks: 190W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A,

FF200R12KT3HOSA1

osa: 371

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Teho - maks: 1050W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A,

IRG5K100HF12A

osa: 598

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 620W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A,

PS3GFANSET30600NOSA1

osa: 627

FF300R17ME4PB11BPSA1

osa: 483

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A,

IRG7T300HF12B

osa: 632

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 570A, Teho - maks: 1600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

FF300R06KE3HOSA1

osa: 360

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 940W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

F4150R17ME4B11BPSA1

osa: 359

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 230A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A,

FF450R12ME3BOSA1

osa: 444

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 2100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A,

FS30R06VE3BOMA1

osa: 335

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 34A, Teho - maks: 88W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A,

FS100R17PE4BOSA1

osa: 468

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A,

DF200R12W1H3FB11BOMA1

osa: 3133

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A,

FZ600R12KS4HOSA1

osa: 441

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 700A, Teho - maks: 3900W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 600A,

FF400R12KT3PEHOSA1

osa: 433

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A,

FS50R12W2T4B11BOMA1

osa: 373

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 83A, Teho - maks: 335W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A,

FF300R12KT3PEHOSA1

osa: 383

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A,

FS30R06XL4BOMA1

osa: 352

Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 35A, Teho - maks: 119W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 30A,

IRG5U100HF06A

osa: 653

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Teho - maks: 400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 100A,

FS150R07PE4BOSA1

osa: 449

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 430W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A,

FS20R06VE3BOMA1

osa: 308

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Teho - maks: 71.5W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A,

IRG5K200HF12B

osa: 622

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 1250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A,

FS300R12OE4BOSA1

osa: 516

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 460A, Teho - maks: 1650W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

FF150R12KS4HOSA1

osa: 379

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 225A, Teho - maks: 1250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

FS10R12YE3BOMA1

osa: 308

FS800R07A2E3B31BOSA1

osa: 194

FS75R12W2T4B11BOMA1

osa: 414

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 107A, Teho - maks: 375W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FS300R17KE3BOSA1

osa: 547

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 375A, Teho - maks: 1650W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

FF450R17ME4PBOSA1

osa: 504

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A,

FS225R17OE4PBOSA1

osa: 535

IRG7U75HF12A

osa: 646

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 450W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A,

FF200R17KE3HOSA1

osa: 862

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 310A, Teho - maks: 1250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A,

FD1000R17IE4BOSA2

osa: 552

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Teho - maks: 6250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A,