Diodit - sillan tasasuuntaajat

SCBA4F

osa: 994

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 400V,

Toivelistaan

SCBR4M

osa: 653

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A,

Toivelistaan

SBR2F

osa: 1002

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 200V,

Toivelistaan

SCBA2F

osa: 1005

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 200V,

Toivelistaan

CD-MBL108S

osa: 136768

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan

CD-DF408SL

osa: 184202

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 0.9V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan

CD-HD01

osa: 134528

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 850mV @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200µA @ 100V,

Toivelistaan

CD-HD006

osa: 171263

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200µA @ 60V,

Toivelistaan

VUO60-18NO3

osa: 2469

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.8kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 72A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 150A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300µA @ 1800V,

Toivelistaan

VBE26-06NO7

osa: 5272

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 44A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.01V @ 15A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 600V,

Toivelistaan

VUO105-16NO7

osa: 1231

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 140A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.09V @ 40A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1600V,

Toivelistaan

VUO28-12NO7

osa: 5508

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 28A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300µA @ 1200V,

Toivelistaan

VUE50-12NO1

osa: 2433

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.55V @ 30A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 750µA @ 1200V,

Toivelistaan

VUO68-12NO7

osa: 5497

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 68A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 60A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40µA @ 1200V,

Toivelistaan

VUE22-06NO7

osa: 4516

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 34A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.01V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 60µA @ 600V,

Toivelistaan

VUO80-18NO1

osa: 2198

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.8kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 82A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.14V @ 30A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40µA @ 1800V,

Toivelistaan

VUC36-16GO2

osa: 1785

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 34A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.85V @ 55A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5mA @ 1600V,

Toivelistaan

VUE35-12NO7

osa: 4247

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.73V @ 15A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1200V,

Toivelistaan

$GSIB1560\45$

GSIB1560\45

osa: 58306

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan

VS-GBPC2512W

osa: 11254

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A,

Toivelistaan

GBU4B-M3/45

osa: 91508

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan

GBU8A-M3/45

osa: 72565

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.9A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan

VS-36MT80

osa: 5164

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan

GBPC2510W(UM)E4/51

osa: 23937

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan

DF005MA-E3/45

osa: 100727

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan

VS-36MT40

osa: 4959

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan

GBU4D-M3/51

osa: 91510

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan