Diodit - sillan tasasuuntaajat

KBJ402G

osa: 80530

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan

KBJ601G

osa: 64878

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan

GBJ1002-F

osa: 40299

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan

KBJ606G

osa: 61114

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan

Comchip Technology

DF1501S-G

osa: 178838

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivelistaan

VS-36MT100

osa: 4458

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivelistaan

VS-GBPC3502A

osa: 11350

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2mA @ 200V,

Toivelistaan

DFL1514S-E3/77

osa: 188785

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1400V,

Toivelistaan

DF08S-E3/I

osa: 300

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan

VS-GBPC2506W

osa: 12021

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A,

Toivelistaan

GBPC604-E4/51

osa: 35446

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan

GBU8J-M3/45

osa: 72543

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan

DF1501S-E3/77

osa: 128758

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan

VS-160MT160C

osa: 151

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 160A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.85V @ 300A,

Toivelistaan

DFL1514S-E3/45

osa: 172746

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1400V,

Toivelistaan

GBPC1204-E4/51

osa: 17654

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan

G5SBA80-M3/51

osa: 99103

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan

TS10P06GHD2G

osa: 222

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivelistaan

RMB2S RCG

osa: 239

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan

TS25PL06G C2G

osa: 152

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan

TS10P03GHC2G

osa: 183

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan

ON Semiconductor

GBPC12005

osa: 26351

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan

GBO25-12NO1

osa: 12277

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50µA @ 1200V,

Toivelistaan

VUO34-12NO1

osa: 2884

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 36A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.13V @ 50A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20µA @ 1200V,

Toivelistaan

VUO70-16NO7

osa: 2194

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 70A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 150A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500µA @ 1600V,

Toivelistaan

VBE100-12NO7

osa: 2716

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.7V @ 60A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1mA @ 1200V,

Toivelistaan

VUE130-06NO7

osa: 2289

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 130A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.04V @ 60A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 600V,

Toivelistaan

VUO60-16NO3

osa: 2579

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 72A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 150A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300µA @ 1600V,

Toivelistaan

SCBA4

osa: 969

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 400V,

Toivelistaan

SCAS15FF

osa: 172

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 970mV @ 30A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 120µA @ 150V,

Toivelistaan

SBMB1

osa: 1326

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 100V,

Toivelistaan