Diodit - sillan tasasuuntaajat | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

SCAJ4F

osa: 700

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 400V,

Toivelistaan

Semtech Corporation

SC3BJ1F

osa: 500

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 100V,

Toivelistaan

Semtech Corporation

SBMA2F

osa: 1190

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 200V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6G-M3/51

osa: 87559

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6A-M3/51

osa: 87599

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

DFL1502S-E3/45

osa: 164663

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6G-E3/51

osa: 85985

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

G5SBA80-M3/45

osa: 82075

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC1508-E4/51

osa: 23949

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-26MT10

osa: 4715

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 100V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6B-M3/51

osa: 87595

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-26MB140A

osa: 6499

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1400V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

DF01SA-E3/45

osa: 122956

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110MT120KPBF

osa: 1010

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-36MB60A

osa: 10053

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan

SMC Diode Solutions

GBJ1510TB

osa: 65401

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivelistaan

SMC Diode Solutions

GBPC2506WTA

osa: 27637

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan

IXYS

VUO60-14NO3

osa: 2672

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 72A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 150A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300µA @ 1400V,

Toivelistaan

IXYS

VUO86-12NO7

osa: 5471

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 86A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.14V @ 30A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40µA @ 1200V,

Toivelistaan

IXYS

FBO16-12N

osa: 13533

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 22A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.43V @ 20A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1200V,

Toivelistaan

IXYS

VUO80-14NO1

osa: 2352

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 82A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.14V @ 30A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40µA @ 1400V,

Toivelistaan

IXYS

VUI30-12N1

osa: 2159

Diodityyppi: Three Phase (PFC Module), Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.4V @ 20A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 750µA @ 1200V,

Toivelistaan

IXYS

VUO98-12NO7

osa: 3751

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.14V @ 40A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1200V,

Toivelistaan

IXYS

VUM33-05N

osa: 1354

Diodityyppi: Single Phase (PFC Module), Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 54A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 20A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1.5mA @ 600V,

Toivelistaan

IXYS

VUM24-05N

osa: 1900

Diodityyppi: Single Phase (PFC Module), Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.65V @ 22A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1.5mA @ 600V,

Toivelistaan

IXYS

VBO78-16NO7

osa: 3458

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 78A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.14V @ 40A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1600V,

Toivelistaan

IXYS

VBO13-16NO2

osa: 3624

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 55A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300µA @ 1600V,

Toivelistaan

Bourns Inc.

CD-MBL208S

osa: 179819

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan

Comchip Technology

GBJ2510-03-G

osa: 119

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivelistaan

Comchip Technology

DB105-G

osa: 193202

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan

Comchip Technology

GBPC1501W-G

osa: 36197

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS101GHC1G

osa: 153

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 50V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

TS15PL06GHD2G

osa: 205

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 930mV @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC4004 T0G

osa: 155

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 20A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan

Micro Commercial Co

GBJL2008-BP

osa: 137693

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan

Micro Commercial Co

GBJ1502-BP

osa: 55083

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan