Diodit - sillan tasasuuntaajat | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

SC3BK4F

osa: 325

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 11A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 9A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 9µA @ 400V,

Toivelistaan

Semtech Corporation

SBR10F

osa: 903

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 1000V,

Toivelistaan

Semtech Corporation

SCBH2F

osa: 1066

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20µA @ 200V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-160MT160KPBF

osa: 892

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 160A,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU4A-M3/45

osa: 91486

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-100MT160PBPBF

osa: 1997

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.51V @ 100A,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-51MT80KPBF

osa: 862

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 55A,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-130MT160C

osa: 174

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 130A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.05V @ 300A,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC25005-E4/51

osa: 17621

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-KBPC104

osa: 87473

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

DF04SA-E3/77

osa: 127244

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU8K-M3/51

osa: 85620

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

DF01S-E3/77

osa: 132392

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

KBL04-E4/51

osa: 59135

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

KBU6B-E4/51

osa: 19358

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

GBU1007 D2G

osa: 207

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

TS6P02G C2G

osa: 164

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

TS6P04G D2G

osa: 217

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

TS10P01GHD2G

osa: 160

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 50V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

TS10P04GHD2G

osa: 239

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

TS10P05G D2G

osa: 4917

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 15A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

KBPF305G B0G

osa: 8776

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan

IXYS

VBO54-16NO7

osa: 4998

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 54A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 20A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40µA @ 1600V,

Toivelistaan

IXYS

VUM85-05A

osa: 893

Diodityyppi: Three Phase (PFC Module), Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 500V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 47A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 45A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500µA @ 600V,

Toivelistaan

IXYS

VUE35-06NO7

osa: 4559

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 56A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.01V @ 15A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 600V,

Toivelistaan

IXYS

VBO130-18NO7

osa: 1159

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.8kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 122A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.65V @ 300A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300µA @ 1800V,

Toivelistaan

IXYS

VUO52-22NO1

osa: 1963

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 2.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.13V @ 20A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40µA @ 2200V,

Toivelistaan

Micro Commercial Co

GBJ2501-BP

osa: 40705

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivelistaan

Micro Commercial Co

GBU6G-BP

osa: 83241

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan

Micro Commercial Co

KBP306G-BP

osa: 11198

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan

Micro Commercial Co

GBJ5010-BP

osa: 27804

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivelistaan

Micro Commercial Co

GBJ1510-BP

osa: 55137

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivelistaan

Central Semiconductor Corp

CBRLDSH1-40 TR13

osa: 186849

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 40V,

Toivelistaan

ON Semiconductor

GBPC2506W

osa: 1854

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan

ON Semiconductor

GBPC3504W

osa: 23810

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan

Comchip Technology

CDBHD160L-G

osa: 120993

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 625mV @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500µA @ 60V,

Toivelistaan