Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

HGTG12N60B3
ON Semiconductor

HGTG12N60B3

osa: 5662

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 27A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 110A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Teho - maks: 104W,

Toivelistaan
NGD18N40CLBT4
ON Semiconductor

NGD18N40CLBT4

osa: 6608

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 4V, 15A, Teho - maks: 115W,

Toivelistaan
HGTG7N60A4
ON Semiconductor

HGTG7N60A4

osa: 6602

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 34A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 56A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
SGL40N150DTU
ON Semiconductor

SGL40N150DTU

osa: 6629

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 40A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
SGR2N60UFDTM
ON Semiconductor

SGR2N60UFDTM

osa: 6576

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2.4A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 10A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A, Teho - maks: 25W,

Toivelistaan
FGD5T120SH
ON Semiconductor

FGD5T120SH

osa: 144045

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 12.5A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 5A, Teho - maks: 69W,

Toivelistaan
FGL60N100BNTDTU
ON Semiconductor

FGL60N100BNTDTU

osa: 21621

IGBT-tyyppi: NPT and Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Teho - maks: 180W,

Toivelistaan
FGH40T65SPD-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SPD-F155

osa: 21639

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 267W,

Toivelistaan
HGT1S20N60C3S9A
ON Semiconductor

HGT1S20N60C3S9A

osa: 28379

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A, Teho - maks: 164W,

Toivelistaan
FGA120N30DTU
ON Semiconductor

FGA120N30DTU

osa: 6590

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 25A, Teho - maks: 290W,

Toivelistaan
IRG4PC40F
Infineon Technologies

IRG4PC40F

osa: 6612

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 49A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 27A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IRG4BC40K
Infineon Technologies

IRG4BC40K

osa: 5736

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 42A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 84A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IRG4BC15UDPBF
Infineon Technologies

IRG4BC15UDPBF

osa: 28678

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 42A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 7.8A, Teho - maks: 49W,

Toivelistaan
IRG4RC10STRL
Infineon Technologies

IRG4RC10STRL

osa: 6542

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A, Teho - maks: 38W,

Toivelistaan
IRGC4660B
Infineon Technologies

IRGC4660B

osa: 20719

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 48A,

Toivelistaan
IRG4IBC20WPBF
Infineon Technologies

IRG4IBC20WPBF

osa: 31096

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 52A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A, Teho - maks: 34W,

Toivelistaan
IRGPC40FD2
Infineon Technologies

IRGPC40FD2

osa: 6557

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 49A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IRG4BC20S
Infineon Technologies

IRG4BC20S

osa: 6599

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 19A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 38A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRG4BC30FD1
Infineon Technologies

IRG4BC30FD1

osa: 6592

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 31A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXGQ180N33TCD1
IXYS

IXGQ180N33TCD1

osa: 9483

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 330V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 180A,

Toivelistaan
IXSP20N60B2D1
IXYS

IXSP20N60B2D1

osa: 6587

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 35A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A, Teho - maks: 190W,

Toivelistaan
IXSH40N60B2D1
IXYS

IXSH40N60B2D1

osa: 6622

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 48A,

Toivelistaan
IXGK60N60
IXYS

IXGK60N60

osa: 6619

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXST40N60B2D1
IXYS

IXST40N60B2D1

osa: 6597

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 48A,

Toivelistaan
IXST30N60C
IXYS

IXST30N60C

osa: 6639

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 110A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGH16N60B2D1
IXYS

IXGH16N60B2D1

osa: 6649

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXEH40N120
IXYS

IXEH40N120

osa: 6682

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXSA20N60B2D1
IXYS

IXSA20N60B2D1

osa: 6663

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 35A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A, Teho - maks: 190W,

Toivelistaan
IXSH45N120
IXYS

IXSH45N120

osa: 6670

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 45A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGH32N60BU1
IXYS

IXGH32N60BU1

osa: 6530

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 32A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGA7N60BD1
IXYS

IXGA7N60BD1

osa: 6654

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 56A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A, Teho - maks: 80W,

Toivelistaan
IXGQ28N120B
IXYS

IXGQ28N120B

osa: 15293

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 28A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXGC16N60C2
IXYS

IXGC16N60C2

osa: 6701

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Teho - maks: 63W,

Toivelistaan
GPA030A120I-FD
Global Power Technologies Group

GPA030A120I-FD

osa: 22965

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Teho - maks: 329W,

Toivelistaan
STGWT20IH125DF
STMicroelectronics

STGWT20IH125DF

osa: 18218

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1250V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Teho - maks: 259W,

Toivelistaan
STGB3NB60SDT4
STMicroelectronics

STGB3NB60SDT4

osa: 6643

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 25A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A, Teho - maks: 70W,

Toivelistaan