Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

SP8J66TB1

osa: 59328

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A,

Toivelistaan

SH8M2TB1

osa: 104614

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

QH8KA2TCR

osa: 115998

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

QS8J5TR

osa: 118611

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

QS8J2TR

osa: 191347

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Toivelistaan

Texas Instruments

CSD87330Q3D

osa: 109566

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Toivelistaan

Texas Instruments

CSD86330Q3D

osa: 82595

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 14A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Toivelistaan

Texas Instruments

CSD87351Q5D

osa: 82196

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 32A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 20A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Toivelistaan

SI7946ADP-T1-GE3

osa: 2605

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 186 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Toivelistaan

SI4943CDY-T1-GE3

osa: 89672

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

SI7232DN-T1-GE3

osa: 199705

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 25A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16.4 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

SI7938DP-T1-GE3

osa: 98652

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivelistaan

SI1900DL-T1-E3

osa: 163022

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 590mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

SQJ980AEP-T1_GE3

osa: 152466

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivelistaan

SI7994DP-T1-GE3

osa: 37667

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

EPC

EPC2111

osa: 48430

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: GaNFET (Gallium Nitride), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA,

Toivelistaan

EPC

EPC2110ENGRT

osa: 67578

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET-ominaisuus: GaNFET (Gallium Nitride), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 120V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA,

Toivelistaan

EPC

EPC2101

osa: 21570

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: GaNFET (Gallium Nitride), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.5A, 38A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA,

Toivelistaan

ZXMHC3F381N8TC

osa: 158568

FET-tyyppi: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.98A, 3.36A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

DMP3098LSD-13

osa: 100979

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Toivelistaan

DMC2038LVT-7

osa: 126085

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.7A, 2.6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

DMC4015SSD-13

osa: 158558

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.6A, 6.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

DMC2020USD-13

osa: 192882

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.8A, 6.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan

DMN601DMK-7

osa: 108557

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 510mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

DMC3021LSD-13

osa: 164162

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.5A, 7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Toivelistaan