Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

IPG20N06S4L11AATMA1

osa: 94288

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA,

IRF7309TRPBF

osa: 150382

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A, 3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

IPG20N04S408ATMA1

osa: 104533

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA,

IPG20N10S4L35AATMA1

osa: 155833

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA,

IPG20N04S412ATMA1

osa: 172931

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA,

IPG20N10S436AATMA1

osa: 139478

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA,

SI9926CDY-T1-GE3

osa: 111109

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SQJ504EP-T1_GE3

osa: 2528

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 8A, 10V, 17 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI4816BDY-T1-GE3

osa: 93645

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.8A, 8.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

SI9945BDY-T1-GE3

osa: 172002

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

SQJ244EP-T1_GE3

osa: 2521

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), 60A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI6562CDQ-T1-GE3

osa: 161237

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.7A, 6.1A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI6913DQ-T1-GE3

osa: 172370

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA,

SI4936CDY-T1-GE3

osa: 170890

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

SQJ202EP-T1_GE3

osa: 136680

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, 60A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

QS6J11TR

osa: 168987

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

EM6K7T2R

osa: 107116

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

QS8K2TR

osa: 107158

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

QS6J3TR

osa: 190781

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

FDS8960C

osa: 111818

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 35V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A, 5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTLUD3A260PZTAG

osa: 147558

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

EFC2J003NUZTCG

osa: 117536

NTZD3154NT1G

osa: 148850

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 540mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

FDC6312P

osa: 122807

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS6910

osa: 118152

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4401NT1G

osa: 126305

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 630mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

CSD87333Q3D

osa: 148026

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, 5V Drive, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14.3 mOhm @ 4A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

CSD75208W1015

osa: 129424

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual) Common Source, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

DMG9926UDM-7

osa: 140078

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

DMN2400UV-7

osa: 180036

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.33A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

DMN6066SSD-13

osa: 191351

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMC4040SSD-13

osa: 197787

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

PMDXB600UNELZ

osa: 153614

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 600mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

NX3008NBKS,115

osa: 184047

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 350mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

EPC2107

osa: 79571

FET-tyyppi: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), FET-ominaisuus: GaNFET (Gallium Nitride), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.7A, 500mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

SSM6N7002KFU,LF

osa: 124781

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 300mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,