Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

IRF7329TRPBF

osa: 126207

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Toivelistaan

IRF9389TRPBF

osa: 156541

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.8A, 4.6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA,

Toivelistaan

IRF7306TR

osa: 84818

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

IRF9395MTRPBF

osa: 53923

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 14A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA,

Toivelistaan

IRF9910TRPBF

osa: 144138

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A, 12A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA,

Toivelistaan

IPG20N04S4L07AATMA1

osa: 101318

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA,

Toivelistaan

SI5504BDC-T1-E3

osa: 163999

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A, 3.7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

SIS932EDN-T1-GE3

osa: 2519

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Toivelistaan

SQJB90EP-T1_GE3

osa: 141525

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Toivelistaan

SI4564DY-T1-GE3

osa: 118890

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A, 9.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Toivelistaan

SQ4920EY-T1_GE3

osa: 97887

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivelistaan

SI3993CDV-T1-GE3

osa: 136053

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 111 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Toivelistaan

SI4559ADY-T1-GE3

osa: 141946

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.3A, 3.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

SI3932DV-T1-GE3

osa: 199469

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Toivelistaan

SQ1912AEEH-T1_GE3

osa: 2494

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 800mA (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan

SIA928DJ-T1-GE3

osa: 170673

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Toivelistaan

SQJ951EP-T1_GE3

osa: 123902

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivelistaan

SQ4917EY-T1_GE3

osa: 91342

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivelistaan

SIA519EDJ-T1-GE3

osa: 128968

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Toivelistaan

DMN65D8LDW-7

osa: 141176

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 180mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Toivelistaan

DMN53D0LDW-7

osa: 110016

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 360mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan

ZXMD63C02XTA

osa: 30114

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

Toivelistaan

DMG1024UV-7

osa: 127188

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.38A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

QS8K51TR

osa: 139893

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A,

Toivelistaan

QH8MA3TCR

osa: 185267

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A, 5.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

SH8K12TB1

osa: 185191

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

UM6K34NTCN

osa: 167601

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, 0.9V Drive, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA,

Toivelistaan

PMDT290UCE,115

osa: 135417

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 800mA, 550mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

Toivelistaan

NX3020NAKVYL

osa: 108530

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan

NX3020NAKS,115

osa: 147530

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 180mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan

PMDPB80XP,115

osa: 184951

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan