Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

NVMFD5873NLT1G

osa: 73807

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivelistaan

FDS9958-F085

osa: 26954

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

FDS8858CZ

osa: 153147

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.6A, 7.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

ECH8660-TL-H

osa: 177854

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V,

Toivelistaan

IRF7905TRPBF

osa: 187870

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.8A, 8.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA,

Toivelistaan

IPG20N06S2L50AATMA1

osa: 140292

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA,

Toivelistaan

IRF9358TRPBF

osa: 160762

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 9.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA,

Toivelistaan

IPG16N10S461ATMA1

osa: 100256

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA,

Toivelistaan

IRFHM8363TRPBF

osa: 191314

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

Toivelistaan

IPG20N04S4L11AATMA1

osa: 165940

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA,

Toivelistaan

STMicroelectronics

STS1DNC45

osa: 85375

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 450V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 400mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA,

Toivelistaan

STMicroelectronics

STS8DNF3LL

osa: 136676

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

SIA922EDJ-T1-GE3

osa: 104410

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Toivelistaan

SI9926CDY-T1-E3

osa: 125202

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan

SQJ974EP-T1_GE3

osa: 141603

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivelistaan

SI5504BDC-T1-GE3

osa: 163985

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A, 3.7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

SI7288DP-T1-GE3

osa: 108168

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

Toivelistaan

SI7900AEDN-T1-E3

osa: 97121

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Toivelistaan

SI4214DDY-T1-GE3

osa: 102448

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivelistaan

SI5935CDC-T1-GE3

osa: 154777

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

SI5936DU-T1-GE3

osa: 193614

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Toivelistaan

SI1025X-T1-GE3

osa: 121434

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 190mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

Nexperia USA Inc.

PMCXB1000UEZ

osa: 169010

FET-tyyppi: N and P-Channel Complementary, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 590mA (Ta), 410mA (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

Toivelistaan

SH8M24TB1

osa: 112720

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 45V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A, 3.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

UM6J1NTN

osa: 145064

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

QS8J13TR

osa: 157844

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Toivelistaan

SH8M11TB1

osa: 138257

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

EM6K34T2CR

osa: 122186

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, 0.9V Drive, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA,

Toivelistaan

ZDM4306NTA

osa: 2658

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA,

Toivelistaan

DMC1018UPD-13

osa: 180420

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.5A, 6.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan

ZXMD63P02XTA

osa: 110973

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

Toivelistaan