Muisti

W631GU8MB15I TR

osa: 9033

W25Q257JVFIQ TR

osa: 180

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

W631GU6MB-15 TR

osa: 1220

W9812G6JB-6 TR

osa: 24097

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,

W29N01HVSINF

osa: 24213

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

W947D2HBJX5E

osa: 26874

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W971GG6SB-18 TR

osa: 21722

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 533MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9825G6KH-6

osa: 27227

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,

W988D2FBJX7E TR

osa: 26832

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9425G6KH-5

osa: 28100

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W631GU8MB-15

osa: 6847

W988D2FBJX6E

osa: 23920

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W971GG6SB-25 TR

osa: 21735

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W631GU8MB11I

osa: 3736

W988D6FBGX7E

osa: 25307

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W948D2FBJX5I TR

osa: 26489

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W631GU8MB-12

osa: 6101

W631GG6MB-15 TR

osa: 1562

W987D2HBJX7E

osa: 26862

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W949D6DBHX5I TR

osa: 22456

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W988D6FBGX7E TR

osa: 27122

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W631GU6MB15I TR

osa: 7599

W989D2DBJX6I TR

osa: 21258

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 512Mb (16M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W25Q256JVBIM TR

osa: 21622

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

W631GU6MB-12 TR

osa: 1057

W988D2FBJX6E TR

osa: 26814

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W631GG8MB15I TR

osa: 8994

W631GU6MB12I

osa: 3666

W25Q256JVFIM

osa: 19393

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

W631GU8MB-15 TR

osa: 1795

W9825G6KH-6I

osa: 26528

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,

W9751G8KB-25

osa: 27325

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W25Q256JVEIQ TR

osa: 24097

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

W25Q256JVEIQ

osa: 18492

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

W25Q256JVBIM

osa: 19983

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

W631GG6MB12I TR

osa: 7664