Muisti

W632GU6MB-12 TR

osa: 7755

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 800MHz,

W967D6HBGX7I TR

osa: 16298

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: PSRAM, Teknologia: PSRAM (Pseudo SRAM), Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 133MHz,

W631GG8MB-12

osa: 1551

W979H6KBVX2E TR

osa: 15657

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W632GU8MB-15

osa: 5808

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 667MHz,

W957D6HBCX7I TR

osa: 16251

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: PSRAM, Teknologia: PSRAM (Pseudo SRAM), Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 133MHz,

W632GU6MB-15 TR

osa: 7852

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 667MHz,

W966D6HBGX7I TR

osa: 18741

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: PSRAM, Teknologia: PSRAM (Pseudo SRAM), Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 133MHz,

W948D2FBJX5I

osa: 24305

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W978H2KBVX2I

osa: 14694

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W632GU8MB-12 TR

osa: 858

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 800MHz,

W632GG6MB-09

osa: 7814

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 1066MHz,

W956D6HBCX7I TR

osa: 18703

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: PSRAM, Teknologia: PSRAM (Pseudo SRAM), Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 133MHz,

W25M02GVTCIT TR

osa: 20613

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 700µs,

W971GG6SB25I

osa: 12389

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W632GG8MB-12 TR

osa: 879

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 800MHz,

W632GG8MB-15

osa: 5799

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 667MHz,

W631GU6MB-12

osa: 21

W632GU8MB-12

osa: 5803

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 800MHz,

W9425G6JB-5I TR

osa: 16686

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W25M02GVZEIG TR

osa: 22670

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 700µs,

W94AD6KBHX5I TR

osa: 15647

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W632GG8MB-11

osa: 5830

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 933MHz,

W632GG6MB12I TR

osa: 4907

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 800MHz,

W631GG8MB12I

osa: 3780

W9751G8KB25I

osa: 21906

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W25Q256JVCIM TR

osa: 21670

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

W9425G6KH-5I

osa: 27486

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W947D2HBJX5E TR

osa: 29956

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W947D6HBHX6E

osa: 28715

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9825G6JB-6 TR

osa: 20071

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,

W25Q256JVBIQ TR

osa: 21636

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

W631GU8MB11I TR

osa: 9067

W631GU8MB12I TR

osa: 1906

W25Q256JVCIQ

osa: 19978

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

W631GG8MB-11

osa: 6029