Muisti

W947D6HBHX5I TR

osa: 30026

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9751G6KB-18

osa: 27333

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 533MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9725G6KB-18

osa: 30980

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 533MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9725G8KB-18 TR

osa: 34178

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 533MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W987D6HBGX6E TR

osa: 30985

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9825G6KH-5 TR

osa: 37465

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 200MHz,

W9751G6KB-18 TR

osa: 30230

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 533MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W25Q128JVCIM TR

osa: 37702

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

W25Q128JVBIQ

osa: 33960

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

W9725G8KB-25

osa: 30919

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9816G6JB-6

osa: 35665

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,

W9812G6KH-6 TR

osa: 45827

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,

W25Q128JVBIM TR

osa: 37677

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

W9812G6KH-6I

osa: 33971

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,

W948D6KBHX5E

osa: 7640

W9751G6KB-25 TR

osa: 30211

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9725G6KB25I TR

osa: 26990

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9812G6KH-6

osa: 35252

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,

W9412G6KH-5

osa: 35285

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9425G6KH-5I TR

osa: 29971

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9816G6JB-6I

osa: 28441

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,

W9864G2JH-6

osa: 31516

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 166MHz,

W25Q128JVFIQ TR

osa: 39573

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

W25N01GVZEIT TR

osa: 31598

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 104MHz,

W25Q128JVSIM

osa: 33933

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

W25Q128JVSIQ

osa: 33952

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

W9425G6KH-5 TR

osa: 38911

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9864G2JH-6 TR

osa: 34428

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 166MHz,

W9412G6KH-5 TR

osa: 45775

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9825G6KH-6I TR

osa: 28860

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,

W9751G8KB25I TR

osa: 23966

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9825G6KH-6 TR

osa: 37472

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,

W9751G8KB-25 TR

osa: 30264

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W25Q128FWFIG

osa: 27993

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60µs, 5ms,

W9812G6KH-5

osa: 44746

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 200MHz,

W987D6HBGX7E TR

osa: 30959

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,