Muisti

W987D2HBJX6I TR

osa: 29102

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W631GG6MB11I TR

osa: 7549

W631GG6MB15I TR

osa: 7627

W631GU6MB-15

osa: 6895

W25Q256JVFIM TR

osa: 23334

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

W9751G6KB25I

osa: 21946

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W631GU6MB11I TR

osa: 8997

W25Q257JVFIQ

osa: 160

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

W949D2DBJX5I TR

osa: 20904

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 512Mb (16M x 32), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W947D2HBJX6E TR

osa: 30013

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W988D6FBGX6I TR

osa: 26671

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W631GG8MB-15 TR

osa: 1801

W631GU6MB-11 TR

osa: 1041

W631GG8MB-12 TR

osa: 1452

W948D2FBJX5E TR

osa: 17734

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W947D2HBJX5I

osa: 26132

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W29N01HVBINA

osa: 24328

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

W947D6HBHX5E

osa: 21918

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W947D6HBHX5I

osa: 27770

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9812G6JB-6

osa: 22237

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,

W631GU8MB12I

osa: 3698

W631GU8MB-12 TR

osa: 1463

W25Q128FWPIG

osa: 25972

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60µs, 5ms,

W987D6HBGX6I

osa: 27822

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W947D2HBJX6E

osa: 26902

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W987D6HBGX6E

osa: 28714

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W988D2FBJX7E

osa: 23905

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9751G6KB-25

osa: 21618

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W25Q256JVFIQ TR

osa: 23418

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

W987D2HBJX6I

osa: 26092

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9864G2JB-6 TR

osa: 20862

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 166MHz,

W989D6DBGX6I TR

osa: 22979

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W631GG8MB-11 TR

osa: 1505

W989D6DBGX6I

osa: 21191

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W988D2FBJX6I

osa: 24108

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W949D6DBHX5E

osa: 21235

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,