Muisti

W25M02GVTBIT TR

osa: 20595

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 700µs,

W632GU6MB15I TR

osa: 4906

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 667MHz,

W971GG6SB-25

osa: 15794

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W632GG6MB-15

osa: 5718

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 667MHz,

W971GG8SB-25

osa: 19963

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W632GG8MB-09

osa: 7775

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 1066MHz,

W25M02GVTBIG TR

osa: 20607

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 700µs,

W632GU6MB-15

osa: 5769

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 667MHz,

W25M02GVZEIT TR

osa: 22691

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 700µs,

W632GG6MB-12 TR

osa: 7805

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 800MHz,

W632GG8MB-11 TR

osa: 894

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 933MHz,

W9825G6JB-6

osa: 18438

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,

W25M512JVFIQ TR

osa: 14878

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 104MHz,

W632GU8MB-11

osa: 5707

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 933MHz,

W632GU8MB12I TR

osa: 7471

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 800MHz,

W632GU8MB-15 TR

osa: 855

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 667MHz,

W948D2FBJX5E

osa: 19191

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W9812G6JB-6I

osa: 17098

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 166MHz,

W949D6DBHX5I

osa: 20603

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W25M02GVTCIG TR

osa: 20645

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 700µs,

W632GG6MB-15 TR

osa: 7822

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 667MHz,

W29N02GWBIBA

osa: 15144

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

W9425G6JB-5

osa: 18317

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W632GU6MB12I TR

osa: 4942

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 800MHz,

W29N02GZBIBA

osa: 15105

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

W25M512JVCIQ TR

osa: 14385

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 104MHz,

W29N02GVSIAF

osa: 15527

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

W971GG6SB-18

osa: 15806

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 533MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W978H2KBVX2E

osa: 14923

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W989D2DBJX6I

osa: 19579

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 512Mb (16M x 32), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W632GG8MB-15 TR

osa: 6314

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 667MHz,

W9864G2JB-6

osa: 19125

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 166MHz,

W979H6KBVX2I TR

osa: 15447

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

W631GG6MB-12

osa: 1711

W632GG8MB15I TR

osa: 7522

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 667MHz,

W631GG6MB-11

osa: 1248