Diodit - Tasasuuntaajat - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

SB250-E3/73

osa: 155300

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 680mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1645TRL-M3

osa: 73852

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 630mV @ 16A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESU06HM3/87A

osa: 157331

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 58ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH01HM3/86A

osa: 114171

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 940mV @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 22ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ035STRRHM3

osa: 68740

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ035STRL-M3

osa: 73749

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 18A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB735TRR-M3

osa: 108885

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 7.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PN50-M3/87A

osa: 132705

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5.3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GL41D/54

osa: 130394

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-STPS1045B-M3

osa: 178240

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 630mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10WQ045FNTRRHM3

osa: 62357

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 630mV @ 10A, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ035STRR-M3

osa: 107964

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15PM10-M3/I

osa: 100

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ040HN3

osa: 115529

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS22/1

osa: 119654

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-100BGQ045HF4

osa: 15904

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 770mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD340TRL-M3

osa: 184854

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ06FNTR-M3

osa: 185417

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 610mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-100BGQ100HF4

osa: 15724

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 630mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ035S-M3

osa: 114467

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ045STRLHM3

osa: 68110

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRHM3

osa: 86081

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFLR60S02

osa: 4772

Diodityyppi: Standard, Reverse Polarity, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 70A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.85V @ 219.8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ035STRL-M3

osa: 88650

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ035HN3

osa: 76769

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 18A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PL6-M3/86A

osa: 115386

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4.3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ04FNTRHM3

osa: 86711

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 510mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P12-M3/I

osa: 133

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P45HM3_A/H

osa: 161

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P45-M3/87A

osa: 139828

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4.3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 12A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ035STRLHM3

osa: 70196

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10WQ045FNHM3

osa: 62384

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 630mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040STRLHM3

osa: 70225

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1635TRL-M3

osa: 79595

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 630mV @ 16A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNTRR-M3

osa: 131298

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 460mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1635-M3

osa: 95318

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 630mV @ 16A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista