Diodit - Tasasuuntaajat - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

VS-50WQ10FNTRRHM3

osa: 84456

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 770mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ035S-M3

osa: 137173

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P10HM3_A/I

osa: 165407

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 680mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4HE3/85A

osa: 147714

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V25PL60-M3/87A

osa: 175827

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 630mV @ 25A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100STRL-M3

osa: 89223

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PG-M3/86A

osa: 155152

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.5µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P2L-M3/87A

osa: 190434

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 12A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ10FN-M3

osa: 160826

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P8-M3/87A

osa: 174345

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4.6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 660mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PM10-M3/H

osa: 163

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ045STRR-M3

osa: 74294

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 18A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNTR-M3

osa: 149737

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 460mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ045STRR-M3

osa: 89952

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5PMS-M3/86A

osa: 103193

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 940mV @ 2.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.5µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040STRL-M3

osa: 90505

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM10HM3/I

osa: 136

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ESH02HM3/87A

osa: 162247

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 930mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1045-M3

osa: 127819

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1045TRL-M3

osa: 41979

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ03FNTRR-M3

osa: 150468

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3HM3_A/H

osa: 184643

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRR-M3

osa: 193615

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ06FNTRL-M3

osa: 194467

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 610mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PJHM3_A/I

osa: 196085

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.5µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P3LHM3_A/H

osa: 153102

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 470mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNTRLHM3

osa: 163940

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 460mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ10FNTRHM3

osa: 84444

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 770mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5PMS-M3/87A

osa: 117706

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.5µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4LHM3_A/I

osa: 197445

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 470mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-100BGQ015HF4

osa: 15969

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 15V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 520mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P45HM3_A/H

osa: 125

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1645TRR-M3

osa: 73811

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 630mV @ 16A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10D-4003HE3/54

osa: 133983

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB220-E3/54

osa: 164121

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100SHM3

osa: 83725

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista