Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Single
VS-10TQ035STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ035STRLHM3

osa: 68781

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-50WQ06FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRLHM3

osa: 85985

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-6TQ040S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ040S-M3

osa: 137750

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-8TQ080STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ080STRLHM3

osa: 69374

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-50WQ04FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ04FNTR-M3

osa: 122267

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 510mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-30WQ06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ06FNTRHM3

osa: 101393

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 610mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-MBRD320-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD320-M3

osa: 103779

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-12TQ045STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ045STRRHM3

osa: 70225

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
V8P6HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P6HM3_A/H

osa: 127

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 610mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-50WQ06FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRRHM3

osa: 86043

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SS10PH45-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10PH45-M3/86A

osa: 139624

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
GP10G-4004HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10G-4004HE3/54

osa: 129060

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-30WQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ03FNTRL-M3

osa: 118871

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SS3P3L-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P3L-M3/86A

osa: 111263

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 470mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-19TQ015STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-19TQ015STRR-M3

osa: 102

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 15V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 19A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 460mV @ 38A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-30WQ10FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ10FNTRLHM3

osa: 99885

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-18TQ040HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ040HN3

osa: 76719

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 18A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-30WQ04FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ04FNTRL-M3

osa: 129619

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 530mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-8TQ100S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100S-M3

osa: 113298

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-12TQ040STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040STRR-M3

osa: 90498

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-12TQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ035STRR-M3

osa: 90036

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-STPS1045BTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-STPS1045BTR-M3

osa: 178165

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 630mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-6ESH06-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH06-M3/87A

osa: 191284

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 40ns,

Toivomuslista
S4PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PGHM3_A/I

osa: 145380

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.5µs,

Toivomuslista
GP10G-4004EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10G-4004EHE3/54

osa: 150832

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SS8P3L-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3L-M3/87A

osa: 118173

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
S4PK-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PK-M3/87A

osa: 194886

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.5µs,

Toivomuslista
S4PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PDHM3_A/H

osa: 157718

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.5µs,

Toivomuslista
VS-10TQ035S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ035S-M3

osa: 104301

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
S4PMHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PMHM3_A/H

osa: 151082

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.5µs,

Toivomuslista
V20PL60-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PL60-M3/87A

osa: 175842

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 590mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SS8P3LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3LHM3_A/H

osa: 198099

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SS10P4HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P4HM3_A/H

osa: 184702

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-50WQ04FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ04FNTRLHM3

osa: 86690

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 510mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-12TQ040SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040SHM3

osa: 84992

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-19TQ015STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-19TQ015STRL-M3

osa: 76226

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 15V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 19A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 360mV @ 19A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista