Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Single
BYG10D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR

osa: 163646

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 4µs,

Toivomuslista
BYS10-25-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25-E3/TR

osa: 164701

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 25V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
BYM12-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200-E3/96

osa: 120803

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista
BYS10-45HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/I

osa: 32260

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
BAV20WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HE3-08

osa: 152834

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 250mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 200mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista
BAV20W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-HE3-08

osa: 179080

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 250mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 200mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista
BAS16D-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-HE3-08

osa: 111335

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 75V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 250mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 6ns,

Toivomuslista
BYS10-45-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45-E3/TR3

osa: 106669

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
BAV302-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV302-TR

osa: 155089

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 250mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista
BAQ333-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ333-TR

osa: 142318

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista
BAT54W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-E3-08

osa: 170231

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 5ns,

Toivomuslista
BAS170WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-08

osa: 136941

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 70mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 15mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista
BYS10-35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3_A/H

osa: 34922

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
BYS10-45HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/H

osa: 34902

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
BA158-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158-E3/54

osa: 101393

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 250ns,

Toivomuslista
B340LB-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-E3/52T

osa: 123083

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
BYG20D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR

osa: 116833

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
BYT62-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TAP

osa: 158520

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 2400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 350mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3.6V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 5µs,

Toivomuslista
BYT54M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TAP

osa: 193530

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista
BAV21-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TR

osa: 170950

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 250mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista
BYT52M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TAP

osa: 122124

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
BAW27-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TAP

osa: 153002

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 600mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 400mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 6ns,

Toivomuslista
BYW36-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TR

osa: 121947

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
BYV26D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TAP

osa: 187035

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
BY269TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY269TAP

osa: 129989

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista
BYV26C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TAP

osa: 171441

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista
BYW32-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TR

osa: 152678

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
BYV27-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TAP

osa: 122331

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.35V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 250ns,

Toivomuslista
BYW55-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TAP

osa: 144972

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 4µs,

Toivomuslista
BYX86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TAP

osa: 183532

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 4µs,

Toivomuslista
BAW27-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TR

osa: 134544

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 600mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 400mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 6ns,

Toivomuslista
BYV26B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TAP

osa: 169957

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista
BYV38-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV38-TAP

osa: 177773

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 300ns,

Toivomuslista
BYV26D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TR

osa: 121386

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
BYV27-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TAP

osa: 139081

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 165V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.07V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista
BYV27-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TAP

osa: 181381

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.07V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista