Diodit - Tasasuuntaajat - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

BA157GPHE3/73

osa: 877

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 150ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWE29-200-E3/45

osa: 144945

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-400-E3/96

osa: 126021

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16-E3-08

osa: 103937

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 75V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 6ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-50-E3/96

osa: 163510

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-100-E3/96

osa: 196039

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-600-E3/96

osa: 144073

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 250ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-100HE3/83

osa: 5138

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 500mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY251GP-E3/73

osa: 315

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 3µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

B130-E3/61T

osa: 183563

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 520mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-E3/TR

osa: 143181

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-E3/TR

osa: 161542

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35-E3/TR

osa: 141652

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J/54

osa: 202

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY251P-E3/54

osa: 119112

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 3µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY255P-E3/54

osa: 163512

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 3µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-40-E3/96

osa: 166090

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-100-E3/96

osa: 193526

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 150ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-100-E3/96

osa: 172161

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-1000-E3/96

osa: 173667

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228TR

osa: 184580

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1500V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 20µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY268TR

osa: 150515

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 400mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 400ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-300-E3/98

osa: 127502

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.35V @ 500mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-800-E3/97

osa: 194682

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-1000-E3/97

osa: 185832

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW86TAP

osa: 186884

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 7.5µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW56-TAP

osa: 183601

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 4µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-600-E3/97

osa: 194021

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-20STAP

osa: 170989

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 2000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 250mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.4V @ 200mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 300ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY269TR

osa: 115634

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 400mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 400ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS82-GS08

osa: 177556

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 15mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV38-TR

osa: 130335

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 300ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-1000-E3/97

osa: 124350

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 500ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-40-E3/97

osa: 153086

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-600-E3/97

osa: 125337

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 250ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24G-E3/TR

osa: 132088

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista