Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Single
BY133GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY133GP-E3/54

osa: 5107

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista
BA159GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159GPHE3/54

osa: 943

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 500ns,

Toivomuslista
BY127MGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY127MGP-E3/54

osa: 980

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1250V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.75A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista
BA159GPEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159GPEHE3/54

osa: 966

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 500ns,

Toivomuslista
BA159DGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159DGPHE3/54

osa: 911

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 500ns,

Toivomuslista
BA158GPEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158GPEHE3/54

osa: 950

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 250ns,

Toivomuslista
BA158GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158GPHE3/54

osa: 976

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 250ns,

Toivomuslista
BA157GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA157GPHE3/54

osa: 903

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 150ns,

Toivomuslista
BYX10GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX10GPHE3/73

osa: 5120

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 360mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista
BYW27-200GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW27-200GPHE3/73

osa: 873

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 3µs,

Toivomuslista
BYW27-400GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW27-400GPHE3/73

osa: 834

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 3µs,

Toivomuslista
BYD33MGP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33MGP-E3/73

osa: 851

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 300ns,

Toivomuslista
BYD33JGP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33JGP-E3/73

osa: 930

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 250ns,

Toivomuslista
BYD33KGP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33KGP-E3/73

osa: 901

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
BYD33DGP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33DGP-E3/73

osa: 875

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 150ns,

Toivomuslista
BYD33GGP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33GGP-E3/73

osa: 892

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
BYD13MGP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13MGP-E3/73

osa: 903

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 3µs,

Toivomuslista
BYD13KGP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13KGP-E3/73

osa: 880

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 3µs,

Toivomuslista
BYD13GGP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13GGP-E3/73

osa: 863

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 3µs,

Toivomuslista
BYD13JGP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13JGP-E3/73

osa: 915

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
BYD13DGP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13DGP-E3/73

osa: 885

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 3µs,

Toivomuslista
BY500-800-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY500-800-E3/73

osa: 910

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.35V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
BY500-600-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY500-600-E3/73

osa: 924

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.35V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
BY500-100-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY500-100-E3/73

osa: 916

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.35V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
BY500-400-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY500-400-E3/73

osa: 908

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.35V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
BY448GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448GPHE3/73

osa: 903

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 20µs,

Toivomuslista
BY299P-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY299P-E3/73

osa: 888

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 500ns,

Toivomuslista
BY251GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY251GPHE3/73

osa: 899

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 3µs,

Toivomuslista
BY255GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY255GPHE3/73

osa: 876

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 3µs,

Toivomuslista
BY206GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY206GPHE3/73

osa: 924

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 400mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1µs,

Toivomuslista
BY133GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY133GP-E3/73

osa: 864

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista
BY127MGP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY127MGP-E3/73

osa: 899

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1250V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.75A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista
BA159GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159GPHE3/73

osa: 870

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 500ns,

Toivomuslista
BA159GPEHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159GPEHE3/73

osa: 903

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 500ns,

Toivomuslista
BA159DGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159DGPHE3/73

osa: 916

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 500ns,

Toivomuslista
BA158GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158GPHE3/73

osa: 834

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 250ns,

Toivomuslista