Diodit - Tasasuuntaajat - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

AS4PJHM3/87A

osa: 1562

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 962mV @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PGHM3/86A

osa: 1550

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 962mV @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PGHM3/87A

osa: 1549

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 962mV @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3/86A

osa: 5590

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 962mV @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3/87A

osa: 1533

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 962mV @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3/86A

osa: 1514

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3/87A

osa: 1551

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PKHM3/87A

osa: 1516

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PKHM3/86A

osa: 1523

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3/86A

osa: 1557

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3/87A

osa: 1579

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PDHM3/87A

osa: 1491

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3/86A

osa: 1574

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3/86A

osa: 1534

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3/87A

osa: 1551

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3/86A

osa: 1589

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3/87A

osa: 1584

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3/86A

osa: 1577

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3/87A

osa: 1522

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3/86A

osa: 1556

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3/87A

osa: 1503

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3/86A

osa: 1498

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PMHM3/86A

osa: 1495

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PMHM3/87A

osa: 1521

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PKHM3/86A

osa: 1530

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PKHM3/87A

osa: 1564

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJHM3/86A

osa: 1498

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJHM3/87A

osa: 1583

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3/87A

osa: 1539

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3/86A

osa: 1529

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3/87A

osa: 1556

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3/86A

osa: 1542

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PKHM3/87A

osa: 1229

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.3A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PDHM3/86A

osa: 1215

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3/87A

osa: 1252

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3/87A

osa: 5198

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista