Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Single
AR4PKHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3_A/H

osa: 122766

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista
AS4PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PG-M3/86A

osa: 156118

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 962mV @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista
AR3PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3_A/H

osa: 166071

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista
AU3PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PG-M3/87A

osa: 193734

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.7A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
AR4PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3_A/I

osa: 128845

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista
AR4PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PG-M3/86A

osa: 191634

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista
AU3PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJHM3_A/I

osa: 127642

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.7A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
AS3PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3_A/I

osa: 186811

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista
AU2PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJHM3_A/I

osa: 174404

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
AU3PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PD-M3/87A

osa: 193813

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.7A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
AR4PJ-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJ-M3/86A

osa: 191604

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista
AS4PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3_A/H

osa: 128759

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista
AS3PMHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3_A/I

osa: 186880

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista
AS3PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3_A/H

osa: 177930

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista
AR3PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PG-M3/87A

osa: 187656

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista
AU3PJ-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJ-M3/86A

osa: 184541

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.7A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
AR3PM-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PM-M3/87A

osa: 157035

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista
AR3PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3_A/I

osa: 174434

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista
AU2PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PDHM3_A/I

osa: 174405

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
AU3PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJ-M3/87A

osa: 193760

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.7A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
AR4PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3_A/I

osa: 128885

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista
AR4PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3_A/H

osa: 122728

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista
AS4PMHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PMHM3_A/H

osa: 128756

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista
AR3PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PG-M3/86A

osa: 164275

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista
AS3PM-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PM-M3/87A

osa: 159938

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista
AS3PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PD-M3/86A

osa: 148577

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista
AR4PM-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PM-M3/87A

osa: 197456

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista
AU2PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PD-M3/86A

osa: 171186

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
AU2PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJHM3_A/H

osa: 166083

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
AR4PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PG-M3/87A

osa: 163453

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista
AS4PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PD-M3/86A

osa: 109249

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 962mV @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista
AR4PMHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3_A/I

osa: 140691

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista
AR3PKHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PKHM3_A/H

osa: 166063

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista
AR4PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PD-M3/87A

osa: 143683

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista
AR4PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3_A/I

osa: 128914

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista
AU2PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PGHM3_A/H

osa: 166086

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista