Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Single
AS4PK-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PK-M3/86A

osa: 186584

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 962mV @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista
AR4PM-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PM-M3/86A

osa: 187999

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista
AS4PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3_A/I

osa: 135245

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista
AS4PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PD-M3/87A

osa: 127822

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 962mV @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista
AR3PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3_A/I

osa: 174356

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista
AS3PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3_A/H

osa: 177979

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista
AR3PJ-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJ-M3/86A

osa: 109158

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista
AU3PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PG-M3/86A

osa: 184562

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.7A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
AS3PMHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3_A/H

osa: 177979

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista
AS3PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PDHM3_A/I

osa: 186864

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista
AS4PK-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PK-M3/87A

osa: 148380

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 962mV @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista
AS4PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PGHM3_A/H

osa: 128798

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista
AR4PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJ-M3/87A

osa: 155636

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista
AS3PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3_A/I

osa: 186827

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista
AU3PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PGHM3_A/H

osa: 121577

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.7A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
AU2PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJ-M3/87A

osa: 122155

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
AS3PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJ-M3/87A

osa: 128015

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista
AU2PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PDHM3_A/H

osa: 166052

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
AS3PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PD-M3/87A

osa: 159290

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista
AU3PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJHM3_A/H

osa: 121580

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.7A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
AR3PK-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PK-M3/86A

osa: 165935

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista
AU2PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PG-M3/87A

osa: 182163

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
AU2PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PGHM3_A/I

osa: 174379

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
AS4PMHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PMHM3_A/I

osa: 135168

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista
AU3PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PD-M3/86A

osa: 184511

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.7A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
AS3PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PKHM3_A/I

osa: 186833

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista
AR4PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3_A/I

osa: 128841

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista
AS4PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PKHM3_A/I

osa: 135251

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista
AU3PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PDHM3_A/H

osa: 121540

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.7A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
AS3PM-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PM-M3/86A

osa: 102068

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.1A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.2µs,

Toivomuslista
AR4PK-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PK-M3/86A

osa: 187986

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista
AR4PMHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3_A/H

osa: 122741

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 120ns,

Toivomuslista
AR3PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3_A/H

osa: 166073

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista
AR4PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3_A/H

osa: 122789

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista
AR3PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJ-M3/87A

osa: 142597

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivomuslista
AU2PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PG-M3/86A

osa: 147505

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista