Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

TK20G60W,RVQ

osa: 54342

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 10A, 10V,

TK11A45D(STA4,Q,M)

osa: 44514

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 450V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 5.5A, 10V,

TK2A65D(STA4,Q,M)

osa: 57242

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.26 Ohm @ 1A, 10V,

TK8A55DA(STA4,Q,M)

osa: 46566

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 550V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.07 Ohm @ 3.8A, 10V,

TK10A50D(STA4,Q,M)

osa: 43511

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 5A, 10V,

TK42A12N1,S4X

osa: 45829

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 120V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 21A, 10V,

TK10A60W,S4X

osa: 42830

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 4.9A, 10V,

TPWR8503NL,L1Q

osa: 50097

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 0.85 mOhm @ 50A, 10V,

TK7A60W,S4VX

osa: 42986

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

TK6A55DA(STA4,Q,M)

osa: 55376

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 550V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.48 Ohm @ 2.8A, 10V,

TK25E06K3,S1X(S

osa: 71708

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 12.5A, 10V,

SSM3K56CT,L3F

osa: 121178

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 800mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V,

T2N7002BK,LM

osa: 133576

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V,

TK8A65W,S5X

osa: 37410

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 3.9A, 10V,

TPH2R506PL,L1Q

osa: 74767

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 30A, 4.5V,

SSM3K17FU,LF

osa: 168684

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 10mA, 4V,

TK9A60D(STA4,Q,M)

osa: 40878

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 830 mOhm @ 4.5A, 10V,

TK7Q60W,S1VQ

osa: 42695

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

TPCA8057-H,LQ(M

osa: 77298

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 42A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 21A, 10V,

TK20V60W5,LVQ

osa: 49706

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V,

TK35E10K3(S1SS-Q)

osa: 50558

TK8A50DA(STA4,Q,M)

osa: 51534

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.04 Ohm @ 3.8A, 10V,

TPH2R306NH,L1Q

osa: 56299

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 30A, 10V,

TK8P60W,RVQ

osa: 67781

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 4A, 10V,

TK8A45DA(STA4,Q,M)

osa: 50212

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 450V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Tc),

TK5A53D(STA4,Q,M)

osa: 60088

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 525V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

TPH4R50ANH,L1Q

osa: 56335

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 30A, 10V,

SSM3J56MFV,L3F

osa: 150062

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 800mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 800mA, 4.5V,

TK10A60D(STA4,Q,M)

osa: 70019

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5A, 10V,

TK7A90E,S4X

osa: 39467

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 3.5A, 10V,

TK5A65D(STA4,Q,M)

osa: 51103

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.43 Ohm @ 2.5A, 10V,

TPH5200FNH,L1Q

osa: 59713

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 13A, 10V,

TK7A50D(STA4,Q,M)

osa: 55043

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.22 Ohm @ 3.5A, 10V,

TK5A60D(STA4,Q,M)

osa: 52683

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.43 Ohm @ 2.5A, 10V,

TK10P60W,RVQ

osa: 55381

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 4.9A, 10V,

TJ60S06M3L(T6L1,NQ

osa: 75921

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 30A, 10V,