Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Koti
Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Toshiba Semiconductor and Storage

TK31V60W,LVQ

osa: 15568

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30.8A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 15.4A, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TPW4R50ANH,L1Q

osa: 93811

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 92A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 46A, 10V,

Toivomuslista

SSM6J215FE(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J215FE(TE85L,F

osa: 179583

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3A, 4.5V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K123TU,LF

osa: 154973

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 4V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TK35N65W5,S1F

osa: 8137

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 17.5A, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TK31N60W5,S1VF

osa: 10406

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30.8A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 15.4A, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TK35A65W,S5X

osa: 10249

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 17.5A, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K72CTC,L3F

osa: 165309

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TK31E60X,S1X

osa: 12874

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30.8A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 9.4A, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TPW1R306PL,L1Q

osa: 52018

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 260A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.29 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J120TU,LF

osa: 181550

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3A, 4V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TK31E60W,S1VX

osa: 10871

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30.8A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 15.4A, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J351R,LF

osa: 125673

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 134 mOhm @ 1A, 10V,

Toivomuslista

TPCA8026(TE12L,Q,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8026(TE12L,Q,M

osa: 77538

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 23A, 10V,

Toivomuslista

SSM3K7002CFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K7002CFU,LF

osa: 113529

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH5900CNH,L1Q

osa: 139118

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 4.5A, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TK39N60W5,S1VF

osa: 10492

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 38.8A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 19.4A, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J334R,LF

osa: 114000

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 71 mOhm @ 3A, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K333R,LF

osa: 181888

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K37FS,LF

osa: 164622

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K781G,LF

osa: 168957

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K72KCT,L3F

osa: 168170

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J130TU,LF

osa: 194401

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25.8 mOhm @ 4A, 4.5V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K16CT,L3F

osa: 21564

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TK16A60W,S4X

osa: 29509

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15.8A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.9A, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TK9J90E,S1E

osa: 20952

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TK14C65W5,S1Q

osa: 26069

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 13.7A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.9A, 10V,

Toivomuslista

TK13A50DA(STA4,Q,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TK13A50DA(STA4,Q,M

osa: 30522

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 6.3A, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J132TU,LF

osa: 103604

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 5A, 4.5V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TK12A60W,S4VX

osa: 20769

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 5.8A, 10V,

Toivomuslista

TK15A60D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK15A60D(STA4,Q,M)

osa: 24154

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 370 mOhm @ 7.5A, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TK9A65W,S5X

osa: 30056

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 4.6A, 10V,

Toivomuslista

TK11A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK11A55D(STA4,Q,M)

osa: 31876

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 550V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 5.5A, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TK20V60W,LVQ

osa: 26594

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

T2N7002AK,LM

osa: 154374

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V,

Toivomuslista

TK14A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK14A55D(STA4,Q,M)

osa: 26114

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 550V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 370 mOhm @ 7A, 10V,

Toivomuslista

741

«
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
»