Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
MMFZ3V9T3G
ON Semiconductor

MMFZ3V9T3G

osa: 5277

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Teho - maks: 500mW,

Toivomuslista
MMBZ5267BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5267BLT1G

osa: 5262

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 75V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 270 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 56V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5250B_D87Z
ON Semiconductor

MMBZ5250B_D87Z

osa: 5372

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 15V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5240BT3
ON Semiconductor

MMSZ5240BT3

osa: 5357

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5252B_D87Z
ON Semiconductor

MMBZ5252B_D87Z

osa: 5381

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 33 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 18V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5264BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5264BLT1

osa: 5303

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 60V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 170 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 46V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ27VD
ON Semiconductor

FLZ27VD

osa: 5128

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 38 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMSZ30T1
ON Semiconductor

MMSZ30T1

osa: 5332

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5243B
ON Semiconductor

MMBZ5243B

osa: 189240

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 13 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 9.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ15T3G
ON Semiconductor

MMSZ15T3G

osa: 5300

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 10.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5247BLT3
ON Semiconductor

MMBZ5247BLT3

osa: 5289

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 17V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 13V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ5V6A
ON Semiconductor

FLZ5V6A

osa: 5169

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.4V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 750nA @ 2.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
FLZ33VA
ON Semiconductor

FLZ33VA

osa: 5207

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30.5V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 55 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 25V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MM3Z36VT1
ON Semiconductor

MM3Z36VT1

osa: 5316

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 90 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 25.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ18VB
ON Semiconductor

FLZ18VB

osa: 5137

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 17.3V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19.4 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 13V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
FLZ30VC
ON Semiconductor

FLZ30VC

osa: 5142

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 29.1V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 46 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 23V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMBZ5226B
ON Semiconductor

MMBZ5226B

osa: 5419

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 28 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 25µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4713T1
ON Semiconductor

MMSZ4713T1

osa: 3559

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10nA @ 22.8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMFZ2V4T3G
ON Semiconductor

MMFZ2V4T3G

osa: 5294

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.4V, Teho - maks: 500mW,

Toivomuslista
MMBZ5246B
ON Semiconductor

MMBZ5246B

osa: 5429

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 12V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ7V5C
ON Semiconductor

FLZ7V5C

osa: 5156

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 7.5V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 6.6 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300nA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
FLZ10VC
ON Semiconductor

FLZ10VC

osa: 5149

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10.1V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 6.6 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 110nA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMSZ5224BT1
ON Semiconductor

MMSZ5224BT1

osa: 5316

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.8V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 75µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ11VC
ON Semiconductor

FLZ11VC

osa: 5120

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMSZ15ET1G
ON Semiconductor

MMSZ15ET1G

osa: 3588

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 10.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ18VA
ON Semiconductor

FLZ18VA

osa: 5167

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16.7V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19.4 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 13V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMFZ2V7T1G
ON Semiconductor

MMFZ2V7T1G

osa: 5291

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.7V, Teho - maks: 500mW,

Toivomuslista
MZP4746ARL
ON Semiconductor

MZP4746ARL

osa: 5303

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 13.7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
MMSZ4695T1
ON Semiconductor

MMSZ4695T1

osa: 5267

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 6.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMFZ2V4T1G
ON Semiconductor

MMFZ2V4T1G

osa: 5339

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.4V, Teho - maks: 500mW,

Toivomuslista
MMBZ5227ELT1
ON Semiconductor

MMBZ5227ELT1

osa: 5258

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.6V, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 24 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 15µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ7V5T1
ON Semiconductor

MMSZ7V5T1

osa: 5284

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 7.5V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMFZ5V1T3G
ON Semiconductor

MMFZ5V1T3G

osa: 3542

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Teho - maks: 500mW,

Toivomuslista
MMBZ5239BLT3G
ON Semiconductor

MMBZ5239BLT3G

osa: 5308

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5245B
ON Semiconductor

MMSZ5245B

osa: 3558

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 16 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z15V
ON Semiconductor

MM5Z15V

osa: 120545

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 10.5V,

Toivomuslista