Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
MMSZ4701ET1
ON Semiconductor

MMSZ4701ET1

osa: 5328

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 14V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 10.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4709T1
ON Semiconductor

MMSZ4709T1

osa: 5304

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10nA @ 18.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z3V6
ON Semiconductor

MM5Z3V6

osa: 118202

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.6V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 90 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V,

Toivomuslista
MZP4749ATAG
ON Semiconductor

MZP4749ATAG

osa: 5425

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 18.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
MMSZ5249BT1
ON Semiconductor

MMSZ5249BT1

osa: 5359

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 19V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 23 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ15VB
ON Semiconductor

FLZ15VB

osa: 5199

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 14.3V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 13.3 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMSZ4707T1
ON Semiconductor

MMSZ4707T1

osa: 5326

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10nA @ 15.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ16VA
ON Semiconductor

FLZ16VA

osa: 5179

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15.2V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15.2 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 12V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MM5Z7V5
ON Semiconductor

MM5Z7V5

osa: 192150

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 7.5V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 5V,

Toivomuslista
MZP4729AG
ON Semiconductor

MZP4729AG

osa: 5364

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
MMSZ5230BT3
ON Semiconductor

MMSZ5230BT3

osa: 5347

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z3V3T1
ON Semiconductor

MM3Z3V3T1

osa: 3598

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 95 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5234ELT3G
ON Semiconductor

MMBZ5234ELT3G

osa: 5251

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 7 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ39VC
ON Semiconductor

FLZ39VC

osa: 5198

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36.9V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 72 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 30V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMSZ5258BT3
ON Semiconductor

MMSZ5258BT3

osa: 5280

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 70 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 27V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMFZ6V8T1G
ON Semiconductor

MMFZ6V8T1G

osa: 5266

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.8V, Teho - maks: 500mW,

Toivomuslista
MMBZ5247B_D87Z
ON Semiconductor

MMBZ5247B_D87Z

osa: 5344

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 17V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 13V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5237ELT3G
ON Semiconductor

MMBZ5237ELT3G

osa: 5252

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 6.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z43V
ON Semiconductor

MM5Z43V

osa: 198543

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 150 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 30.1V,

Toivomuslista
FLZ39VD
ON Semiconductor

FLZ39VD

osa: 5133

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 37.6V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 72 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 30V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMSZ5235B
ON Semiconductor

MMSZ5235B

osa: 5422

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.8V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ22VD
ON Semiconductor

FLZ22VD

osa: 5165

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22.2V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25.6 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 17V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
FLZ5V1A
ON Semiconductor

FLZ5V1A

osa: 5161

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.9V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 190nA @ 1.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMBZ5245ELT3G
ON Semiconductor

MMBZ5245ELT3G

osa: 5292

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 16 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5228ELT3G
ON Semiconductor

MMBZ5228ELT3G

osa: 5331

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 23 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5255BT3
ON Semiconductor

MMSZ5255BT3

osa: 3558

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 28V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 44 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4706
ON Semiconductor

MMSZ4706

osa: 5098

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 19V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 14.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5250BLT3G
ON Semiconductor

MMBZ5250BLT3G

osa: 5307

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 15V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMFZ15T1G
ON Semiconductor

MMFZ15T1G

osa: 5312

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Teho - maks: 500mW,

Toivomuslista
MMSZ27T3
ON Semiconductor

MMSZ27T3

osa: 5287

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 18.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z16VST1
ON Semiconductor

MM3Z16VST1

osa: 5255

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16.18V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 11.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMFZ3V9T1G
ON Semiconductor

MMFZ3V9T1G

osa: 5301

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Teho - maks: 500mW,

Toivomuslista
MMSZ4680ET1
ON Semiconductor

MMSZ4680ET1

osa: 5292

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 4µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5261BT3G
ON Semiconductor

MMSZ5261BT3G

osa: 5351

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 47V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 105 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 36V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5245BT3G
ON Semiconductor

MMSZ5245BT3G

osa: 5324

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 16 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5238BT1
ON Semiconductor

MMSZ5238BT1

osa: 5282

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 6.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista