Diodit - Zener - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 91

MM3Z8V2T1

osa: 5326

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.2V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 700nA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

FLZ22VC

osa: 5114

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 21.7V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25.6 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 17V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MMSZ4708T1

osa: 5286

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10nA @ 16.7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MMSZ5226ET1G

osa: 5351

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 28 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 25µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MMSZ3V0T1G

osa: 188553

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 95 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MM3Z9V1T3G

osa: 146849

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200nA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MM3Z5V1T1G

osa: 180727

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MM3Z56VC

osa: 134662

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 56V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 188 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 45nA @ 39.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MMSZ4705T1G

osa: 167592

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 13.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MMBZ5259BLT1G

osa: 161385

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 30V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MM3Z62VB

osa: 120017

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 62V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 202 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 45nA @ 43.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

SZBZX84C36LT3G

osa: 113389

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 250mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 90 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 25.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MM3Z8V2B

osa: 130604

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.2V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 14 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 630nA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MMSZ3V0T1

osa: 4950

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 95 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

SZMMBZ5231BLT3G

osa: 109343

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MMBZ5247BLT1G

osa: 188398

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 17V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 13V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

SZBZX84C9V1ET3G

osa: 115321

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

SZBZX84C68LT1G

osa: 167481

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 68V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 240 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 47.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MM5Z10VT1G

osa: 134086

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5.5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

SZMMBZ5222BLT1G

osa: 136038

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.5V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MMSZ4699T1G

osa: 110565

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 9.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

FLZ2V7A

osa: 4994

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.6V, Toleranssi: ±4%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 35 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 70µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MM3Z3V0T1G

osa: 196963

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

SZBZX84C5V6LT3G

osa: 139801

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MMBZ5243BLT1G

osa: 117100

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 13 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 9.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

SZBZX84C27ET3G

osa: 140398

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 18.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MM3Z9V1C

osa: 130145

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 14 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 450nA @ 6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

SZBZX84C9V1LT3G

osa: 191314

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

SZBZX84C15ET3G

osa: 159296

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 10.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MM3Z24VB

osa: 126766

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 65 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 45nA @ 16.8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MM3Z36VC

osa: 152387

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 84 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 45nA @ 25.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

FLZ2V4B

osa: 4935

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.5V, Toleranssi: ±4%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 35 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 84µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

MMSZ39T1G

osa: 153895

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 130 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 27.3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

SZBZX84C30ET1G

osa: 168889

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

SZBZX84C20ET1G

osa: 156409

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 55 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista

ON Semiconductor

SZBZX84B6V2LT1G

osa: 120988

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista