Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
MMFZ3V6T1G
ON Semiconductor

MMFZ3V6T1G

osa: 5337

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.6V, Teho - maks: 500mW,

Toivomuslista
MMSZ5229B
ON Semiconductor

MMSZ5229B

osa: 139208

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 22 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MZP4741ARLG
ON Semiconductor

MZP4741ARLG

osa: 3548

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 8.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
MMBZ5232BLT3G
ON Semiconductor

MMBZ5232BLT3G

osa: 5242

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 11 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ24VB
ON Semiconductor

FLZ24VB

osa: 5152

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 23.2V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 29 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 19V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMSZ5264BT3G
ON Semiconductor

MMSZ5264BT3G

osa: 5314

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 60V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 170 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 46V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5243ELT3G
ON Semiconductor

MMBZ5243ELT3G

osa: 5252

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 13 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 9.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z30V
ON Semiconductor

MM5Z30V

osa: 136952

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 21V,

Toivomuslista
MMSZ5226BT3G
ON Semiconductor

MMSZ5226BT3G

osa: 5285

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 28 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 25µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MZP4749ATA
ON Semiconductor

MZP4749ATA

osa: 5354

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 18.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
MMFZ12T3G
ON Semiconductor

MMFZ12T3G

osa: 5274

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Teho - maks: 500mW,

Toivomuslista
MMSZ4695T1G
ON Semiconductor

MMSZ4695T1G

osa: 5315

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 6.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ18VC
ON Semiconductor

FLZ18VC

osa: 5194

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 17.9V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19.4 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 13V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMSZ5231BT3
ON Semiconductor

MMSZ5231BT3

osa: 5327

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z3V9T1
ON Semiconductor

MM3Z3V9T1

osa: 5261

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 90 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ3V9T1
ON Semiconductor

MMSZ3V9T1

osa: 5273

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 90 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5257B
ON Semiconductor

MMBZ5257B

osa: 3600

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 58 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 25V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ2V4T3G
ON Semiconductor

MMSZ2V4T3G

osa: 5261

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.4V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5230ELT3G
ON Semiconductor

MMBZ5230ELT3G

osa: 5283

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ22VB
ON Semiconductor

FLZ22VB

osa: 5118

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 21.2V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25.6 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 17V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MM3Z33VT1
ON Semiconductor

MM3Z33VT1

osa: 5258

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 23.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5249B_D87Z
ON Semiconductor

MMBZ5249B_D87Z

osa: 5366

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 19V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 23 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
JZD2_DHJZ005A
ON Semiconductor

JZD2_DHJZ005A

osa: 5131

Teho - maks: 500mW,

Toivomuslista
FLZ4V3C
ON Semiconductor

FLZ4V3C

osa: 5152

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.4V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 32 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 470nA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
FLZ8V2B
ON Semiconductor

FLZ8V2B

osa: 5220

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 6.6 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300nA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MM3Z39VT1
ON Semiconductor

MM3Z39VT1

osa: 5243

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 130 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 27.3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ5V1C
ON Semiconductor

FLZ5V1C

osa: 5143

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.2V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 190nA @ 1.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMFZ18T1G
ON Semiconductor

MMFZ18T1G

osa: 5290

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Teho - maks: 500mW,

Toivomuslista
MMBZ5268BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5268BLT1

osa: 5331

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 82V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 330 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 62V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ6V2C
ON Semiconductor

FLZ6V2C

osa: 5168

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.3V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3.3µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MM5Z5V1
ON Semiconductor

MM5Z5V1

osa: 161374

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 2V,

Toivomuslista
MMSZ4682T1
ON Semiconductor

MMSZ4682T1

osa: 5336

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ22VA
ON Semiconductor

FLZ22VA

osa: 5198

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20.6V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25.6 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 17V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMBZ5229BLT3
ON Semiconductor

MMBZ5229BLT3

osa: 5259

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 22 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5231ELT3G
ON Semiconductor

MMBZ5231ELT3G

osa: 5330

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ15VA
ON Semiconductor

FLZ15VA

osa: 5145

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13.8V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 13.3 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista