Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
MMFZ10T1G
ON Semiconductor

MMFZ10T1G

osa: 5291

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Teho - maks: 500mW,

Toivomuslista
FLZ27VA
ON Semiconductor

FLZ27VA

osa: 5128

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24.9V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 38 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MM5Z12V
ON Semiconductor

MM5Z12V

osa: 113967

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V,

Toivomuslista
FLZ11VA
ON Semiconductor

FLZ11VA

osa: 5143

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10.4V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMSZ5246BT3G
ON Semiconductor

MMSZ5246BT3G

osa: 5356

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 12V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ9V1C
ON Semiconductor

FLZ9V1C

osa: 5155

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 6.6 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300nA @ 6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMSZ4715T1
ON Semiconductor

MMSZ4715T1

osa: 5287

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10nA @ 27.3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5256B_D87Z
ON Semiconductor

MMBZ5256B_D87Z

osa: 3547

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 49 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 23V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z3V3TT1G
ON Semiconductor

MM3Z3V3TT1G

osa: 5271

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 95 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5223ET1G
ON Semiconductor

MMSZ5223ET1G

osa: 5353

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 75µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z4V7ST3G
ON Semiconductor

MM3Z4V7ST3G

osa: 3544

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MZP4734ARLG
ON Semiconductor

MZP4734ARLG

osa: 5308

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
MMFZ33T3G
ON Semiconductor

MMFZ33T3G

osa: 5302

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Teho - maks: 500mW,

Toivomuslista
FLZ9V1B
ON Semiconductor

FLZ9V1B

osa: 5174

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.8V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 6.6 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300nA @ 6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMBZ5257B_D87Z
ON Semiconductor

MMBZ5257B_D87Z

osa: 5407

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 58 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 25V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5272BT3
ON Semiconductor

MMSZ5272BT3

osa: 5331

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 110V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 750 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 84V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4V7T3
ON Semiconductor

MMSZ4V7T3

osa: 5323

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5231B_D87Z
ON Semiconductor

MMBZ5231B_D87Z

osa: 5321

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ22T3G
ON Semiconductor

MMSZ22T3G

osa: 5276

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 55 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 15.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5234BLT3G
ON Semiconductor

MMBZ5234BLT3G

osa: 5294

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 7 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5244ET1
ON Semiconductor

MMSZ5244ET1

osa: 5323

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 14V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 10V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5242ELT3G
ON Semiconductor

MMBZ5242ELT3G

osa: 5285

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 9.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4702ET3G
ON Semiconductor

MMSZ4702ET3G

osa: 5334

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 11.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ5V6B
ON Semiconductor

FLZ5V6B

osa: 5191

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 750nA @ 2.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMBZ5238B_D87Z
ON Semiconductor

MMBZ5238B_D87Z

osa: 5340

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 6.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MZP4729ARLG
ON Semiconductor

MZP4729ARLG

osa: 3542

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
MMSZ5260ET1
ON Semiconductor

MMSZ5260ET1

osa: 5350

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 93 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 33V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5239B_D87Z
ON Semiconductor

MMBZ5239B_D87Z

osa: 5361

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ3V6T1
ON Semiconductor

MMSZ3V6T1

osa: 3539

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 90 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
FLZ6V2A
ON Semiconductor

FLZ6V2A

osa: 5197

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.9V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3.3µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMBZ5248B_D87Z
ON Semiconductor

MMBZ5248B_D87Z

osa: 5316

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 21 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5248ELT3G
ON Semiconductor

MMBZ5248ELT3G

osa: 5285

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 21 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z3V0
ON Semiconductor

MM5Z3V0

osa: 193206

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1V,

Toivomuslista
MMSZ5234BT3
ON Semiconductor

MMSZ5234BT3

osa: 5336

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 7 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4678T3G
ON Semiconductor

MMSZ4678T3G

osa: 5299

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 1.8V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 7.5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5222BT3G
ON Semiconductor

MMSZ5222BT3G

osa: 5382

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.5V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista