Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
MMSZ4684
ON Semiconductor

MMSZ4684

osa: 6228

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 7.5µA @ 1.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F4V3ST5G
ON Semiconductor

NZ9F4V3ST5G

osa: 160127

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.3V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F12VST5G
ON Semiconductor

NZ9F12VST5G

osa: 162662

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F24VT5G
ON Semiconductor

NZ9F24VT5G

osa: 188490

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 70 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 18.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F16VST5G
ON Semiconductor

NZ9F16VST5G

osa: 177576

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16.18V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 50 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 12V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5252B
ON Semiconductor

MMBZ5252B

osa: 6373

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 33 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 18V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F8V2ST5G
ON Semiconductor

NZ9F8V2ST5G

osa: 187327

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.2V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZD5V1MUT5G
ON Semiconductor

NZD5V1MUT5G

osa: 6322

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 1.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5255B
ON Semiconductor

MMBZ5255B

osa: 6335

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 28V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 44 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5238B
ON Semiconductor

MMSZ5238B

osa: 6365

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 6.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F7V5T5G
ON Semiconductor

NZ9F7V5T5G

osa: 190776

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 7.5V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 4A,

Toivomuslista
SZNZ9F6V2T5G
ON Semiconductor

SZNZ9F6V2T5G

osa: 110315

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Teho - maks: 250mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM5Z5V1T5G
ON Semiconductor

SZMM5Z5V1T5G

osa: 21694

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.8V, Toleranssi: ±5.88%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F10VT5G
ON Semiconductor

NZ9F10VT5G

osa: 127606

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM5Z4V7ST5G
ON Semiconductor

SZMM5Z4V7ST5G

osa: 100825

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F3V9ST5G
ON Semiconductor

NZ9F3V9ST5G

osa: 146137

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.03V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F4V3T5G
ON Semiconductor

NZ9F4V3T5G

osa: 149753

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F2V4T5G
ON Semiconductor

NZ9F2V4T5G

osa: 133252

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.4V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 250mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5241B
ON Semiconductor

MMSZ5241B

osa: 155915

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 22 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 8.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F18VT5G
ON Semiconductor

NZ9F18VT5G

osa: 124105

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 50 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F13VT5G
ON Semiconductor

NZ9F13VT5G

osa: 178619

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 37 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 10V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5241B
ON Semiconductor

MMBZ5241B

osa: 6331

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 22 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 8.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZD5V6MUT5G
ON Semiconductor

NZD5V6MUT5G

osa: 6355

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 2.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5227B
ON Semiconductor

MMBZ5227B

osa: 120339

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 24 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 15µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F18VST5G
ON Semiconductor

NZ9F18VST5G

osa: 107778

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 50 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F15VT5G
ON Semiconductor

NZ9F15VT5G

osa: 160104

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 42 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F15VST5G
ON Semiconductor

NZ9F15VST5G

osa: 108957

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 14.66V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 42 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F4V7T5G
ON Semiconductor

NZ9F4V7T5G

osa: 163063

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5254B
ON Semiconductor

MMSZ5254B

osa: 6352

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 41 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZNZ9F5V1T5G
ON Semiconductor

SZNZ9F5V1T5G

osa: 109601

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Teho - maks: 250mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 1.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F6V2T5G
ON Semiconductor

NZ9F6V2T5G

osa: 164646

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZNZ9F5V6ST5G
ON Semiconductor

SZNZ9F5V6ST5G

osa: 103661

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Teho - maks: 250mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 2.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F2V7ST5G
ON Semiconductor

NZ9F2V7ST5G

osa: 144535

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.79V, Toleranssi: ±4%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZNZ9F3V9T5G
ON Semiconductor

SZNZ9F3V9T5G

osa: 118223

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.91V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 250mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5243B
ON Semiconductor

MMSZ5243B

osa: 6133

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 13 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 9.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5250B
ON Semiconductor

MMBZ5250B

osa: 6351

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 350mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 15V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista