Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
MMSZ5252ET1
ON Semiconductor

MMSZ5252ET1

osa: 648

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 33 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 18V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z20VST1G
ON Semiconductor

MM3Z20VST1G

osa: 184828

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 55 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z12VB
ON Semiconductor

MM3Z12VB

osa: 105530

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 23 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 900nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z22VC
ON Semiconductor

MM3Z22VC

osa: 181922

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 51 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 45nA @ 15.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ5272BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5272BT1G

osa: 146062

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 110V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 750 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 84V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5270BT1
ON Semiconductor

MMSZ5270BT1

osa: 9906

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 91V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 400 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 69V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ10T1G
ON Semiconductor

MMSZ10T1G

osa: 167046

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200nA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C11LT3G
ON Semiconductor

SZBZX84C11LT3G

osa: 186839

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z18VST1G
ON Semiconductor

MM3Z18VST1G

osa: 111531

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 45 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 12.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z27VC
ON Semiconductor

MM3Z27VC

osa: 124551

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 75 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 45nA @ 18.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z22VB
ON Semiconductor

MM3Z22VB

osa: 180

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 51 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 45nA @ 15.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z51VC
ON Semiconductor

MM3Z51VC

osa: 180232

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 51V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 169 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 45nA @ 35.7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM3Z10VST1G
ON Semiconductor

SZMM3Z10VST1G

osa: 191512

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C33ET3G
ON Semiconductor

SZBZX84C33ET3G

osa: 185451

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 23.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z43VB
ON Semiconductor

MM3Z43VB

osa: 181005

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 141 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 45nA @ 30.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z13VC
ON Semiconductor

MM3Z13VC

osa: 107596

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 28 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 900nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z6V8C
ON Semiconductor

MM3Z6V8C

osa: 132545

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.8V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 14 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1.8µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5263BT1
ON Semiconductor

MMSZ5263BT1

osa: 9153

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 56V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 150 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 43V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5248BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5248BLT1G

osa: 178733

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 21 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM3Z5V6T1G
ON Semiconductor

SZMM3Z5V6T1G

osa: 131442

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4702T1
ON Semiconductor

MMSZ4702T1

osa: 9254

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 11.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM3Z18VT1G
ON Semiconductor

SZMM3Z18VT1G

osa: 198237

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 45 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 12.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM3Z15VT1G
ON Semiconductor

SZMM3Z15VT1G

osa: 101629

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 10.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5272BT3G
ON Semiconductor

MMSZ5272BT3G

osa: 125947

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 110V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 750 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 84V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5228BT1
ON Semiconductor

MMSZ5228BT1

osa: 9147

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 23 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM3Z27VST1G
ON Semiconductor

SZMM3Z27VST1G

osa: 133502

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 26.86V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 18.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4705T1
ON Semiconductor

MMSZ4705T1

osa: 9189

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 13.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ5258BT3G
ON Semiconductor

SZMMSZ5258BT3G

osa: 193059

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 70 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 27V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ10T1
ON Semiconductor

MMSZ10T1

osa: 9300

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200nA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5251BT1
ON Semiconductor

MMSZ5251BT1

osa: 9169

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 29 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 17V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5265BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5265BT1G

osa: 103168

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 62V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 185 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 47V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5253BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5253BLT1

osa: 9322

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 25V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 35 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 19V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C18LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84C18LT1G

osa: 131357

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 45 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 12.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM3Z43VT1G
ON Semiconductor

SZMM3Z43VT1G

osa: 174682

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 150 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 30.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5261BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5261BT1G

osa: 145143

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 47V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 105 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 36V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM3Z18VST1G
ON Semiconductor

SZMM3Z18VST1G

osa: 147201

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 45 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 12.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 100mA,

Toivomuslista