Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
MMSZ4691ET1
ON Semiconductor

MMSZ4691ET1

osa: 1252

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ28VCF
ON Semiconductor

MMSZ28VCF

osa: 135937

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 28V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMSZ20VCF
ON Semiconductor

MMSZ20VCF

osa: 187932

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 15V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MM5Z47VT1
ON Semiconductor

MM5Z47VT1

osa: 1309

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 47V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 170 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 32.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ36VCF
ON Semiconductor

MMSZ36VCF

osa: 129357

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 27V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMSZ5V6CF
ON Semiconductor

MMSZ5V6CF

osa: 120118

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 4 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
SZBZX84C12ET3G
ON Semiconductor

SZBZX84C12ET3G

osa: 166889

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84B9V1LT3G
ON Semiconductor

SZBZX84B9V1LT3G

osa: 111970

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±1.98%, Teho - maks: 250mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5242BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5242BLT1G

osa: 113602

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 9.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C8V2LT3G
ON Semiconductor

SZBZX84C8V2LT3G

osa: 186882

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 700nA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84B10LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84B10LT1G

osa: 149195

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 250mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200nA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C16LT3G
ON Semiconductor

SZBZX84C16LT3G

osa: 107445

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 250mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 11.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C5V1ET3G
ON Semiconductor

SZBZX84C5V1ET3G

osa: 118059

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5252BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5252BLT1G

osa: 169224

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 33 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 18V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5245BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5245BLT1G

osa: 166185

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 16 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C12LT3G
ON Semiconductor

SZBZX84C12LT3G

osa: 109760

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 250mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5246ELT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5246ELT1G

osa: 138981

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 12V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84B5V6LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84B5V6LT1G

osa: 143144

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5261ELT1G
ON Semiconductor

MMBZ5261ELT1G

osa: 107487

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 47V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 105 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 36V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C18ET1G
ON Semiconductor

SZBZX84C18ET1G

osa: 123607

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 45 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 12.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5248BLT3G
ON Semiconductor

MMBZ5248BLT3G

osa: 144995

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 21 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84B9V1LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84B9V1LT1G

osa: 151884

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C8V2ET3G
ON Semiconductor

SZBZX84C8V2ET3G

osa: 126032

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 700nA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5256ELT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5256ELT1G

osa: 141927

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 49 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 23V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C27ET1G
ON Semiconductor

SZBZX84C27ET1G

osa: 106110

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 18.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM3Z9V1T1G
ON Semiconductor

SZMM3Z9V1T1G

osa: 133690

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200nA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5239BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5239BLT1G

osa: 143842

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5234BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5234BLT1G

osa: 134382

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 7 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5237BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5237BLT1G

osa: 192991

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 6.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5258BT3G
ON Semiconductor

MMSZ5258BT3G

osa: 165010

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 70 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 27V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM5Z6V8T1G
ON Semiconductor

SZMM5Z6V8T1G

osa: 124139

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.8V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84B24LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84B24LT1G

osa: 141687

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 70 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 16.8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5248ELT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5248ELT1G

osa: 113320

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 21 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C8V2LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84C8V2LT1G

osa: 187228

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 700nA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84B22LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84B22LT1G

osa: 131223

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 55 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 15.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5256ELT1G
ON Semiconductor

MMBZ5256ELT1G

osa: 168301

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 49 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 23V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista