Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
SZBZX84C36ET1G
ON Semiconductor

SZBZX84C36ET1G

osa: 113462

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 90 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 25.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C12LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84C12LT1G

osa: 174180

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 250mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5242BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5242BLT1G

osa: 146620

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 9.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C68ET1G
ON Semiconductor

SZBZX84C68ET1G

osa: 196215

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 68V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 240 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 47.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5240BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5240BLT1G

osa: 115225

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C43LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84C43LT1G

osa: 199726

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 150 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 30.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C22ET1G
ON Semiconductor

SZBZX84C22ET1G

osa: 191735

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 55 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 15.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5227BLT1H
ON Semiconductor

MMBZ5227BLT1H

osa: 192879

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 24 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 15µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5239BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5239BLT1G

osa: 126343

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C6V2ET3G
ON Semiconductor

SZBZX84C6V2ET3G

osa: 141295

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5235BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5235BLT1G

osa: 187259

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.8V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5247BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5247BLT1G

osa: 128508

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 17V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 13V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C6V2LT3G
ON Semiconductor

SZBZX84C6V2LT3G

osa: 146975

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5231BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5231BLT1G

osa: 166813

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5240BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5240BLT1G

osa: 199706

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C4V3LT3G
ON Semiconductor

SZBZX84C4V3LT3G

osa: 186305

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.3V, Toleranssi: ±6.98%, Teho - maks: 250mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 90 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5231ELT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5231ELT1G

osa: 131421

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C47LT3G
ON Semiconductor

SZBZX84C47LT3G

osa: 130317

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 47V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 170 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 32.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C33LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84C33LT1G

osa: 177295

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 23.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5234BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5234BLT1G

osa: 126877

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 7 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SMMSZ5260BT1G
ON Semiconductor

SMMSZ5260BT1G

osa: 149896

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 93 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 33V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C13ET1G
ON Semiconductor

SZBZX84C13ET1G

osa: 166784

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C16ET3G
ON Semiconductor

SZBZX84C16ET3G

osa: 184696

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 11.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5263BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5263BLT1G

osa: 167724

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 56V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 150 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 43V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5242BLT3G
ON Semiconductor

MMBZ5242BLT3G

osa: 118504

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 9.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84B15LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84B15LT1G

osa: 115386

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 10.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84B16LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84B16LT1G

osa: 176075

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 250mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 11.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C15LT3G
ON Semiconductor

SZBZX84C15LT3G

osa: 150143

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 250mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 10.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5225BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5225BLT1G

osa: 198210

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 29 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84B12LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84B12LT1G

osa: 142536

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5228BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5228BLT1G

osa: 183240

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 23 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C10ET1G
ON Semiconductor

SZBZX84C10ET1G

osa: 191701

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200nA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C11ET1G
ON Semiconductor

SZBZX84C11ET1G

osa: 108048

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM5Z18VT1G
ON Semiconductor

SZMM5Z18VT1G

osa: 189419

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 45 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 12.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84B18LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84B18LT1G

osa: 144727

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 45 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 12.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5229BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5229BLT1G

osa: 166023

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 22 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista