Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
SZMMSZ5260BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5260BT1G

osa: 182758

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 93 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 33V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5248BT3G
ON Semiconductor

MMSZ5248BT3G

osa: 148342

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 21 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM5Z15VT1G
ON Semiconductor

SZMM5Z15VT1G

osa: 156185

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 10.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM3Z3V3ST3G
ON Semiconductor

SZMM3Z3V3ST3G

osa: 134141

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 95 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4709T1G
ON Semiconductor

MMSZ4709T1G

osa: 197701

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10nA @ 18.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F3V9T5G
ON Semiconductor

NZ9F3V9T5G

osa: 121718

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ4687T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ4687T1G

osa: 160413

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 4µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4694T3G
ON Semiconductor

MMSZ4694T3G

osa: 144032

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.2V, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 6.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ11T1G
ON Semiconductor

MMSZ11T1G

osa: 141305

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ39T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ39T1G

osa: 124999

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 130 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 27.3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZ1SMA5934BT3G
ON Semiconductor

SZ1SMA5934BT3G

osa: 190491

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1.5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 18.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
SZBZX84C39LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84C39LT1G

osa: 199351

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 130 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 27.3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5242ET1G
ON Semiconductor

MMSZ5242ET1G

osa: 168323

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 9.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM3Z6V2T1G
ON Semiconductor

SZMM3Z6V2T1G

osa: 152738

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5249BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5249BT1G

osa: 131918

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 19V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 23 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F12VT5G
ON Semiconductor

NZ9F12VT5G

osa: 115932

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ5222BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5222BT1G

osa: 130564

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.5V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ2V4T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ2V4T1G

osa: 149124

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.4V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ13T1G
ON Semiconductor

MMSZ13T1G

osa: 199730

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ4688T3G
ON Semiconductor

SZMMSZ4688T3G

osa: 145676

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ5248BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5248BT1G

osa: 111520

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 21 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ4697T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ4697T1G

osa: 124313

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 7.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ12T3G
ON Semiconductor

SZMMSZ12T3G

osa: 104145

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C4V3ET1G
ON Semiconductor

SZBZX84C4V3ET1G

osa: 142741

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.3V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 90 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5252CT1G
ON Semiconductor

MMSZ5252CT1G

osa: 189355

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 33 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 18V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5254BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5254BT1G

osa: 169916

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 41 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z12VT1G
ON Semiconductor

MM5Z12VT1G

osa: 172169

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5.4%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C11LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84C11LT1G

osa: 183691

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F2V7T5G
ON Semiconductor

NZ9F2V7T5G

osa: 107812

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ13ET1G
ON Semiconductor

SZMMSZ13ET1G

osa: 119815

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F6V2ST5G
ON Semiconductor

NZ9F6V2ST5G

osa: 150717

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5247BT3G
ON Semiconductor

MMSZ5247BT3G

osa: 111515

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 17V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 13V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM5Z5V1T1G
ON Semiconductor

SZMM5Z5V1T1G

osa: 184347

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±5.9%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5246ELT1G
ON Semiconductor

MMBZ5246ELT1G

osa: 5429

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 12V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM3Z2V7T3G
ON Semiconductor

SZMM3Z2V7T3G

osa: 116577

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.7V, Toleranssi: ±7.41%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZ1SMB5956BT3G
ON Semiconductor

SZ1SMB5956BT3G

osa: 166335

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 200V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 1200 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 152V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista