Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
1N971B_T50A
ON Semiconductor

1N971B_T50A

osa: 3503

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 41 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 20.6V,

Toivomuslista
1N967BTR
ON Semiconductor

1N967BTR

osa: 21597

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 21 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 13.7V,

Toivomuslista
1N968BTR
ON Semiconductor

1N968BTR

osa: 21527

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 15.2V,

Toivomuslista
1N967B_T50A
ON Semiconductor

1N967B_T50A

osa: 4944

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 21 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 13.7V,

Toivomuslista
1N964BTR
ON Semiconductor

1N964BTR

osa: 21572

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 13 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 9.9V,

Toivomuslista
1N964B_T50A
ON Semiconductor

1N964B_T50A

osa: 4901

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 13 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 9.9V,

Toivomuslista
1N960BTR
ON Semiconductor

1N960BTR

osa: 21578

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 7.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 25µA @ 6.9V,

Toivomuslista
1N965B_T50R
ON Semiconductor

1N965B_T50R

osa: 4975

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 16 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 11.4V,

Toivomuslista
1N962B_T50A
ON Semiconductor

1N962B_T50A

osa: 4902

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 9.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 8.4V,

Toivomuslista
1N961BTR
ON Semiconductor

1N961BTR

osa: 21532

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 7.6V,

Toivomuslista
1N965B_T50A
ON Semiconductor

1N965B_T50A

osa: 4954

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 16 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 11.4V,

Toivomuslista
1N958BTR
ON Semiconductor

1N958BTR

osa: 21537

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 7.5V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 5.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 75µA @ 5.7V,

Toivomuslista
1N759A
ON Semiconductor

1N759A

osa: 4948

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1N748A_T50A
ON Semiconductor

1N748A_T50A

osa: 4968

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 23 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1N758A
ON Semiconductor

1N758A

osa: 4967

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1N757A
ON Semiconductor

1N757A

osa: 42851

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6013B_T50A
ON Semiconductor

1N6013B_T50A

osa: 4928

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 95 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 27V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6014B_T50R
ON Semiconductor

1N6014B_T50R

osa: 4894

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 130 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 30V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N755A_T50R
ON Semiconductor

1N755A_T50R

osa: 5415

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 7.5V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 6 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1N755A
ON Semiconductor

1N755A

osa: 4897

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 7.5V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 6 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1N753A_S00Z
ON Semiconductor

1N753A_S00Z

osa: 4987

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 7 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5995B_T50A
ON Semiconductor

1N5995B_T50A

osa: 3509

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N752A_T50A
ON Semiconductor

1N752A_T50A

osa: 4907

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 11 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1N753A
ON Semiconductor

1N753A

osa: 4966

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 7 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1N752A
ON Semiconductor

1N752A

osa: 4929

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 11 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1N751A_T50A
ON Semiconductor

1N751A_T50A

osa: 4982

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1N750A_T50A
ON Semiconductor

1N750A_T50A

osa: 4945

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1N751A
ON Semiconductor

1N751A

osa: 4916

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1N750A
ON Semiconductor

1N750A

osa: 4913

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5245B_S00Z
ON Semiconductor

1N5245B_S00Z

osa: 4955

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 16 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5241B_S00Z
ON Semiconductor

1N5241B_S00Z

osa: 3580

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 22 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 8.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5244B_T26A
ON Semiconductor

1N5244B_T26A

osa: 4902

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 14V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 10V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5237B_T50A
ON Semiconductor

1N5237B_T50A

osa: 4942

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 6.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5239B_S00Z
ON Semiconductor

1N5239B_S00Z

osa: 4939

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6008B
ON Semiconductor

1N6008B

osa: 3587

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 55 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 17V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N746ATR
ON Semiconductor

1N746ATR

osa: 21529

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 28 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista