Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
1N5230B_T50R
ON Semiconductor

1N5230B_T50R

osa: 4931

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5229B_T50R
ON Semiconductor

1N5229B_T50R

osa: 4922

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 22 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5994B_T50R
ON Semiconductor

1N5994B_T50R

osa: 4973

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5996B
ON Semiconductor

1N5996B

osa: 4970

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.8V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 5.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5230B_T26A
ON Semiconductor

1N5230B_T26A

osa: 4944

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5993B_T50A
ON Semiconductor

1N5993B_T50A

osa: 4947

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 50 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5994B
ON Semiconductor

1N5994B

osa: 4908

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5260B
ON Semiconductor

1N5260B

osa: 3545

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 93 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 33V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5257B
ON Semiconductor

1N5257B

osa: 191091

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 58 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 25V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5255B_T50R
ON Semiconductor

1N5255B_T50R

osa: 4904

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 28V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 44 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5250B_T50R
ON Semiconductor

1N5250B_T50R

osa: 4912

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 15V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5248B_T50R
ON Semiconductor

1N5248B_T50R

osa: 4893

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 21 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5243B_T50A
ON Semiconductor

1N5243B_T50A

osa: 4979

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 13 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 9.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5242B_T50R
ON Semiconductor

1N5242B_T50R

osa: 3489

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 9.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5234B_T50A
ON Semiconductor

1N5234B_T50A

osa: 4961

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 7 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5231B_T50R
ON Semiconductor

1N5231B_T50R

osa: 4960

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5259B_T50R
ON Semiconductor

1N5259B_T50R

osa: 4926

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 30V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5240B_T50R
ON Semiconductor

1N5240B_T50R

osa: 4906

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N747ATR
ON Semiconductor

1N747ATR

osa: 4967

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 24 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1SMA5922BT3G
ON Semiconductor

1SMA5922BT3G

osa: 100024

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 7.5V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1.5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 3 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2.5µA @ 6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1SMA5914BT3G
ON Semiconductor

1SMA5914BT3G

osa: 171313

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1.5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 9 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 35.5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5340BG
ON Semiconductor

1N5340BG

osa: 174351

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 1 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivomuslista
1N4750A
ON Semiconductor

1N4750A

osa: 150607

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 35 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 20.6V,

Toivomuslista
1N4734A
ON Semiconductor

1N4734A

osa: 16086

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 2V,

Toivomuslista
1N5243B
ON Semiconductor

1N5243B

osa: 130075

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 13 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 9.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N4740A
ON Semiconductor

1N4740A

osa: 107573

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 7 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 7.6V,

Toivomuslista
1N4743A
ON Semiconductor

1N4743A

osa: 190654

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 9.9V,

Toivomuslista
1N5235B
ON Semiconductor

1N5235B

osa: 171722

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.8V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N4742A
ON Semiconductor

1N4742A

osa: 196700

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 9 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 9.1V,

Toivomuslista
1N4757A
ON Semiconductor

1N4757A

osa: 191285

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 51V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 95 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 38.8V,

Toivomuslista
1N4755A
ON Semiconductor

1N4755A

osa: 144901

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 70 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 32.7V,

Toivomuslista
1N5341BG
ON Semiconductor

1N5341BG

osa: 166479

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 1 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivomuslista
1N5345BRLG
ON Semiconductor

1N5345BRLG

osa: 191419

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 2 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 6.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivomuslista
1N5368BRLG
ON Semiconductor

1N5368BRLG

osa: 186971

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 47V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 35.8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivomuslista
1N5925BRLG
ON Semiconductor

1N5925BRLG

osa: 185587

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 4.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1N5362BRLG
ON Semiconductor

1N5362BRLG

osa: 115137

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 28V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 6 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 21.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivomuslista