Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
1N746A_S00Z
ON Semiconductor

1N746A_S00Z

osa: 5097

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 28 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6018B_T50R
ON Semiconductor

1N6018B_T50R

osa: 5080

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 56V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 200 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 43V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6018B_T50A
ON Semiconductor

1N6018B_T50A

osa: 5100

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 56V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 200 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 43V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6017B_T50R
ON Semiconductor

1N6017B_T50R

osa: 5095

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 51V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 180 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 39V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6016B_T50R
ON Semiconductor

1N6016B_T50R

osa: 5098

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 47V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 170 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 36V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6017B_T50A
ON Semiconductor

1N6017B_T50A

osa: 5019

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 51V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 180 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 39V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6015B_T50R
ON Semiconductor

1N6015B_T50R

osa: 5043

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 150 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 33V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6016B_T50A
ON Semiconductor

1N6016B_T50A

osa: 5045

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 47V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 170 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 36V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6015B_T50A
ON Semiconductor

1N6015B_T50A

osa: 5016

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 150 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 33V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6014B_T50A
ON Semiconductor

1N6014B_T50A

osa: 5075

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 130 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 30V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6013B_T50R
ON Semiconductor

1N6013B_T50R

osa: 5098

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 95 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 27V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6012B_T50R
ON Semiconductor

1N6012B_T50R

osa: 5095

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 88 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 25V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6011B_T50R
ON Semiconductor

1N6011B_T50R

osa: 5063

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 78 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 23V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6012B_T50A
ON Semiconductor

1N6012B_T50A

osa: 5015

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 88 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 25V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6010B_T50R
ON Semiconductor

1N6010B_T50R

osa: 5009

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 70 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6011B_T50A
ON Semiconductor

1N6011B_T50A

osa: 5093

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 78 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 23V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6009B_T50R
ON Semiconductor

1N6009B_T50R

osa: 5026

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 62 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 18V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6010B_T50A
ON Semiconductor

1N6010B_T50A

osa: 3516

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 70 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6009B_T50A
ON Semiconductor

1N6009B_T50A

osa: 5082

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 62 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 18V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6008B_T50A
ON Semiconductor

1N6008B_T50A

osa: 5095

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 55 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 17V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6008B_T50R
ON Semiconductor

1N6008B_T50R

osa: 5084

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 55 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 17V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6007B_T50A
ON Semiconductor

1N6007B_T50A

osa: 5065

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 48 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 15V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6007B_T50R
ON Semiconductor

1N6007B_T50R

osa: 5000

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 48 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 15V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6006B_T50R
ON Semiconductor

1N6006B_T50R

osa: 5060

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 42 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6006B_T50A
ON Semiconductor

1N6006B_T50A

osa: 4993

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 42 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6005B_T50A
ON Semiconductor

1N6005B_T50A

osa: 5066

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 36 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 12V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6005B_T50R
ON Semiconductor

1N6005B_T50R

osa: 5070

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 36 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 12V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6004B_T50R
ON Semiconductor

1N6004B_T50R

osa: 5036

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 32 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6004B_T50A
ON Semiconductor

1N6004B_T50A

osa: 5011

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 32 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6003B_T50R
ON Semiconductor

1N6003B_T50R

osa: 4994

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 9.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6003B_T50A
ON Semiconductor

1N6003B_T50A

osa: 5064

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 9.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6002B_T50A
ON Semiconductor

1N6002B_T50A

osa: 5075

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 22 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 9.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6002B_T50R
ON Semiconductor

1N6002B_T50R

osa: 5026

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 22 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 9.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6001B_T50R
ON Semiconductor

1N6001B_T50R

osa: 4989

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 18 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6001B_T50A
ON Semiconductor

1N6001B_T50A

osa: 5020

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 18 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
1N6000B_T50R
ON Semiconductor

1N6000B_T50R

osa: 5020

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista