Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
1SMB5917BT3G
ON Semiconductor

1SMB5917BT3G

osa: 142990

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1SMA5913BT3G
ON Semiconductor

1SMA5913BT3G

osa: 160601

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1.5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1SMB5952BT3G
ON Semiconductor

1SMB5952BT3G

osa: 153750

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 130V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 450 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 98.8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1SMA5919BT3G
ON Semiconductor

1SMA5919BT3G

osa: 196462

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1.5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 2 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2.5µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1SMA5915BT3G
ON Semiconductor

1SMA5915BT3G

osa: 135051

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1.5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 7.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 12.5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1SMA5929BT3G
ON Semiconductor

1SMA5929BT3G

osa: 119287

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1.5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 9 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 11.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1SMA5920BT3G
ON Semiconductor

1SMA5920BT3G

osa: 121174

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1.5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 2 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2.5µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1PMT5920BT1G
ON Semiconductor

1PMT5920BT1G

osa: 122985

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 2 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 200mA,

Toivomuslista
1SMB5951BT3G
ON Semiconductor

1SMB5951BT3G

osa: 109527

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 120V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 380 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 91.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1N4737A
ON Semiconductor

1N4737A

osa: 168271

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 7.5V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 4 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 5V,

Toivomuslista
1SMB5927BT3G
ON Semiconductor

1SMB5927BT3G

osa: 197217

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 6.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 9.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1SMB5931BT3G
ON Semiconductor

1SMB5931BT3G

osa: 115472

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 550mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 12 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 13.7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1SMB5915BT3G
ON Semiconductor

1SMB5915BT3G

osa: 175250

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 7.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 25µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1SMB5918BT3G
ON Semiconductor

1SMB5918BT3G

osa: 134859

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 4 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1SMA5918BT3G
ON Semiconductor

1SMA5918BT3G

osa: 109621

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1.5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 4 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2.5µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
1SMB5916BT3G
ON Semiconductor

1SMB5916BT3G

osa: 199868

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 6 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
3EZ6.2D5RLG
ON Semiconductor

3EZ6.2D5RLG

osa: 194628

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 1.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
3EZ18D5RLG
ON Semiconductor

3EZ18D5RLG

osa: 120220

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 6 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 13.7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
3EZ16D5RLG
ON Semiconductor

3EZ16D5RLG

osa: 150119

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 5.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 12.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
3EZ8.2D5RLG
ON Semiconductor

3EZ8.2D5RLG

osa: 5306

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 2.3 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
3EZ39D5G
ON Semiconductor

3EZ39D5G

osa: 5251

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 28 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 29.7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
3EZ4.3D5RLG
ON Semiconductor

3EZ4.3D5RLG

osa: 5289

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 4.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 30µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
3EZ24D5RLG
ON Semiconductor

3EZ24D5RLG

osa: 5246

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 9 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 18.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
3EZ15D5RLG
ON Semiconductor

3EZ15D5RLG

osa: 5223

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 5.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 11.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
3EZ24D5G
ON Semiconductor

3EZ24D5G

osa: 5289

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 9 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 18.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
3EZ15D5G
ON Semiconductor

3EZ15D5G

osa: 5279

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 5.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 11.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
3EZ13D5G
ON Semiconductor

3EZ13D5G

osa: 5291

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 4.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 9.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
3EZ10D5G
ON Semiconductor

3EZ10D5G

osa: 5305

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 3.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 7.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
3EZ36D5RLG
ON Semiconductor

3EZ36D5RLG

osa: 4956

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 22 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 27.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
3EZ13D5RLG
ON Semiconductor

3EZ13D5RLG

osa: 101608

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 4.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 9.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
BZX85C8V2_T50R
ON Semiconductor

BZX85C8V2_T50R

osa: 3290

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.2V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
BZX85C7V5_T50R
ON Semiconductor

BZX85C7V5_T50R

osa: 3372

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 7.5V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 3 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 4.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
BZX85C4V7
ON Semiconductor

BZX85C4V7

osa: 122579

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 13 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 1.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
BZG03C15G
ON Semiconductor

BZG03C15G

osa: 192636

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 1.5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 500mA,

Toivomuslista
BZX85C9V1_T50R
ON Semiconductor

BZX85C9V1_T50R

osa: 3208

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 6.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
BZX85C24
ON Semiconductor

BZX85C24

osa: 100846

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 17V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista