Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

Koti
Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

Microsemi Corporation

APT15D100BHBG

osa: 3846

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

MSCD120-12

osa: 3126

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.43V @ 300A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

MSKD70-12

osa: 3640

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 70A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.48V @ 200A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

MSCD200-12

osa: 1707

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 300A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

MSCD200-16

osa: 1634

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 300A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

MSCD60-12

osa: 3374

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 200A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

MSCD60-16

osa: 3713

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 200A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

MSKD165-16

osa: 1961

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 165A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 300A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

FST30100

osa: 15979

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 850mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

MBR3045CTE3/TU

osa: 83378

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

MBR3045FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3045FCTE3/TU

osa: 83376

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

MBR3040FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3040FCTE3/TU

osa: 83345

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

MSCD36-08

osa: 161

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 36A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

MBR3060FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3060FCTE3/TU

osa: 83401

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

MBR3090FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3090FCTE3/TU

osa: 83419

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 90V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

MBR3050CTE3/TU

osa: 83420

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

MBR30100CTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR30100CTE3/TU

osa: 83396

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

S16-4150E3/TR13

Microsemi Corporation

S16-4150E3/TR13

osa: 33996

Diodin kokoonpano: 8 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 75V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

MBR40100PTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR40100PTE3/TU

osa: 77627

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

S8-4148E3/TR7

osa: 35633

Diodin kokoonpano: 4 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 75V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

S16-4148E3/TR13

Microsemi Corporation

S16-4148E3/TR13

osa: 33968

Diodin kokoonpano: 8 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 75V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

S8-4148/TR13

osa: 29651

Diodin kokoonpano: 4 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 75V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

S8-4150E3/TR7

osa: 35658

Diodin kokoonpano: 4 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

S8-4150E3/TR13

osa: 44423

Diodin kokoonpano: 4 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

MBR3040CTE3/TU

osa: 83326

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

MBR3060CTE3/TU

osa: 83324

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

S16-4148E3/TR7

osa: 27341

Diodin kokoonpano: 8 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 75V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

S16-4150/TR13

osa: 27323

Diodin kokoonpano: 8 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

MBR3080FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3080FCTE3/TU

osa: 83408

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

S16-4148/TR7

osa: 20355

Diodin kokoonpano: 8 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 75V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

S16-4148/TR13

osa: 27309

Diodin kokoonpano: 8 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 75V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

S8-4148/TR7

osa: 23783

Diodin kokoonpano: 4 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 75V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

MBR3050FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3050FCTE3/TU

osa: 83385

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

S8-4150/TR7

osa: 23768

Diodin kokoonpano: 4 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

MBR20200CTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR20200CTE3/TU

osa: 83329

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

MBR3080CTE3/TU

osa: 83384

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

468

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»