Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot | Erilliset puolijohdetuotteet | 13

APT30D100BCAG

osa: 4419

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT10SCD65KCT

osa: 7652

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 17A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X60DC120J

osa: 647

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 60A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X40DC120J

osa: 910

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 40A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X40DC60J

osa: 4083

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 40A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X31DC120J

osa: 4104

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 30A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X30DC120J

osa: 4162

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 30A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X20DC120J

osa: 1523

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 20A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTDC902U601G

osa: 4122

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 90A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 90A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT10SCD120BCT

osa: 3952

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 36A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X150DL60J

osa: 2369

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X41DC120J

osa: 952

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 40A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X50DC120J

osa: 777

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 50A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT60DQ120LCTG

osa: 3868

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3.3V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT8DQ60KCTG

osa: 3871

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.4V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT60D30LCTG

osa: 3895

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT60D20LCTG

osa: 3885

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT40DQ120BCTG

osa: 4438

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3.3V @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT40DQ100BCTG

osa: 3858

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3V @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30DS60BG

osa: 6132

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 4V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30DQ100BCTG

osa: 3860

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X60DQ60J

osa: 4074

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X60D40J

osa: 3544

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X60D20J

osa: 3886

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X30D40J

osa: 4128

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X30D30J

osa: 4064

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X100D30J

osa: 3857

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X100D40J

osa: 2926

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X100D20J

osa: 2701

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT15S20KCTG

osa: 3861

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 830mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X100D120J

osa: 2138

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 93A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT15S20BCTG

osa: 3837

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 830mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT15DS60BG

osa: 7305

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 13A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 4V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT15D60BCAG

osa: 3892

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 14A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT15DQ120BCTG

osa: 3827

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3.3V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT15D120BCTG

osa: 3855

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista