Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF

0912-7

osa: 542

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Taajuus - Siirtyminen: 960MHz ~ 1.215GHz, Saada: 8.5dB, Teho - maks: 50W,

0910-60M

osa: 297

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Taajuus - Siirtyminen: 890MHz ~ 1GHz, Saada: 8dB ~ 8.5dB, Teho - maks: 180W,

0910-150M

osa: 271

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Taajuus - Siirtyminen: 890MHz ~ 1GHz, Saada: 8.1dB ~ 8.5dB, Teho - maks: 400W,

0510-50A

osa: 275

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 27V, Taajuus - Siirtyminen: 500MHz ~ 1GHz, Saada: 7dB, Teho - maks: 50W,

0912-45

osa: 506

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Taajuus - Siirtyminen: 960MHz ~ 1.215GHz, Saada: 8dB ~ 9dB, Teho - maks: 225W,

0204-125

osa: 311

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Taajuus - Siirtyminen: 225MHz ~ 400MHz, Saada: 7dB ~ 8.5dB, Teho - maks: 270W,

0105-50

osa: 7195

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Taajuus - Siirtyminen: 100MHz ~ 500MHz, Saada: 8.5dB ~ 10dB, Teho - maks: 140W,

0912-25

osa: 7104

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 55V, Taajuus - Siirtyminen: 960MHz ~ 1.215GHz, Saada: 8.5dB ~ 10dB, Teho - maks: 125W,

1214-300M

osa: 262

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Taajuus - Siirtyminen: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Saada: 7dB, Teho - maks: 88W,

1214-370M

osa: 211

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 75V, Taajuus - Siirtyminen: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Saada: 8.7dB ~ 9dB, Teho - maks: 600W,

1014-12

osa: 453

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Taajuus - Siirtyminen: 1GHz ~ 1.4GHz, Saada: 6.8dB, Teho - maks: 39W,

1014-6A

osa: 456

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Taajuus - Siirtyminen: 1GHz ~ 1.4GHz, Saada: 7dB ~ 7.5dB, Teho - maks: 19W,

1214-110M

osa: 197

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 75V, Taajuus - Siirtyminen: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Saada: 7.4dB, Teho - maks: 270W,

1517-110M

osa: 232

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 70V, Taajuus - Siirtyminen: 1.48GHz ~ 1.65GHz, Saada: 7.3dB ~ 8.6dB, Teho - maks: 350W,

1517-20M

osa: 327

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Taajuus - Siirtyminen: 1.48GHz ~ 1.65GHz, Saada: 7.6dB ~ 9.3dB, Teho - maks: 175W,

1214-220M

osa: 229

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 70V, Taajuus - Siirtyminen: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Saada: 7.4dB, Teho - maks: 700W,

1090MP

osa: 730

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Taajuus - Siirtyminen: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Saada: 8.08dB ~ 8.5dB, Teho - maks: 250W,

1214-55

osa: 299

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Taajuus - Siirtyminen: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Saada: 7dB, Teho - maks: 175W,

1214-150L

osa: 225

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Taajuus - Siirtyminen: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Saada: 7.15dB ~ 8.7dB, Teho - maks: 320W,

1035MP

osa: 640

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Taajuus - Siirtyminen: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Saada: 10dB ~ 10.5dB, Teho - maks: 125W,

1214-32L

osa: 285

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Taajuus - Siirtyminen: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Saada: 7.8dB ~ 8.9dB, Teho - maks: 125W,

1214-30

osa: 297

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Taajuus - Siirtyminen: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Saada: 7dB, Teho - maks: 88W,

10502

osa: 183

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Saada: 8.5dB, Teho - maks: 1458W,

1004MA

osa: 7314

1000MA

osa: 4803

10A015

osa: 849

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 24V, Taajuus - Siirtyminen: 2.7GHz, Saada: 9dB ~ 9.5dB, Teho - maks: 6W,

10A030

osa: 839

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 24V, Taajuus - Siirtyminen: 2.5GHz, Saada: 7.8dB ~ 8.5dB, Teho - maks: 13W,

1214-300

osa: 287

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Taajuus - Siirtyminen: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Saada: 7dB, Teho - maks: 88W,

1015MP

osa: 890

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Taajuus - Siirtyminen: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Saada: 10dB ~ 11dB, Teho - maks: 50W,

1075MP

osa: 796

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Taajuus - Siirtyminen: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Saada: 7.6dB ~ 8.5dB, Teho - maks: 250W,

1004MP

osa: 938

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Taajuus - Siirtyminen: 960MHz ~ 1.215GHz, Saada: 7dB ~ 9dB, Teho - maks: 7W,

1000MP

osa: 1076

Transistorin tyyppi: NPN, Taajuus - Siirtyminen: 1.15GHz, Saada: 10.8dB, Teho - maks: 5.3W,

1002MP

osa: 1025

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Taajuus - Siirtyminen: 960MHz ~ 1.215GHz, Saada: 8.24dB ~ 11dB, Teho - maks: 7W,

10A060

osa: 605

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 24V, Taajuus - Siirtyminen: 1GHz, Saada: 8dB ~ 8.5dB, Teho - maks: 21W,

2N4957UB

osa: 2413

Transistorin tyyppi: PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Meluluku (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Saada: 25dB, Teho - maks: 200mW,

2A8

osa: 697

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 21V, Taajuus - Siirtyminen: 2GHz, Saada: 7dB ~ 9dB, Teho - maks: 5.3W,