Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

Koti
Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

Microsemi Corporation

APT2X31DQ60J

osa: 3554

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.2V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30D100BCTG

osa: 9938

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT100S20LCTG

osa: 5486

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X61S20J

osa: 3006

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 75A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT60D60LCTG

osa: 6600

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X30D120J

osa: 2852

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X101DQ60J

osa: 2889

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.2V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X101DQ120J

osa: 2486

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X61D60J

osa: 3296

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30DQ60BCTG

osa: 16694

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.4V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30D100BHBG

osa: 9481

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT40DQ60BCTG

osa: 14431

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.4V @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X101D20J

osa: 2724

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT15DQ100BCTG

osa: 17077

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X61DC120J

osa: 553

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 60A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30D20BCAG

osa: 9782

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X101D60J

osa: 2721

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30D60BCTG

osa: 10815

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X101D40J

osa: 2756

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30DQ60BHBG

osa: 10044

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.4V @ 30A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X31S20J

osa: 3575

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 45A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 850mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30D60BCAG

osa: 9826

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 27A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X61D100J

osa: 2817

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 55A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X61DC60J

osa: 1099

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 60A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X60DC60J

osa: 1122

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 60A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30D60BHBG

osa: 9889

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 27A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X51DC60J

osa: 1272

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 50A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X41DC60J

osa: 1054

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 40A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X31DC60J

osa: 1723

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 30A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X30DC60J

osa: 1813

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 30A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X101S20J

osa: 2725

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 120A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT15DQ60BCTG

osa: 20940

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.4V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X20DC60J

osa: 1426

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 20A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT60DQ60BCTG

osa: 11515

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.4V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X21DC120J

osa: 1510

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 20A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X60D30J

osa: 4471

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

468

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»