Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot | Erilliset puolijohdetuotteet | 13

1N6660

osa: 559

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

1N7037CCU1

osa: 4746

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.22V @ 35A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

1N6659

osa: 4137

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

5962-1621001VXC

osa: 4957

Diodin kokoonpano: 8 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 140V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 1A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.08V @ 700mA, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

5962-1621001QXC

osa: 4919

Diodin kokoonpano: 8 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 140V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 1A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.08V @ 700mA, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

689-3P

osa: 4108

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30D30BCTG

osa: 10437

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTDF400KK170G

osa: 532

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1700V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 480A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 400A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X30D100J

osa: 3175

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 28A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X31D20J

osa: 3498

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X30DQ60J

osa: 3829

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.2V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X61DQ100J

osa: 3118

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.8V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X101D30J

osa: 2748

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X21DC60J

osa: 1164

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 20A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X60D60J

osa: 3356

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X100DQ60J

osa: 3407

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.2V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X31D120J

osa: 2782

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X50DC60J

osa: 739

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 50A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APTDF400KK20G

osa: 842

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 400A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X101D100J

osa: 2286

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 95A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30DQ120BCTG

osa: 179

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3.3V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X31D100J

osa: 3191

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 28A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X61D120J

osa: 2464

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 53A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X60D120J

osa: 2442

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 53A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X61D20J

osa: 3266

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X60DQ120J

osa: 3220

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3.1V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X101D120J

osa: 1994

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 93A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X151DL60J

osa: 2375

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X100D100J

osa: 2278

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 95A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30D20BCTG

osa: 14745

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X61DQ60J

osa: 3789

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT15D60BCTG

osa: 21444

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X30D60J

osa: 4152

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT2X100DQ100J

osa: 3296

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.7V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT15D100BCTG

osa: 17440

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Microsemi Corporation

APT30D40BCTG

osa: 10774

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista