Muisti

MT29F128G08CBCEBRT-37B:E

osa: 3828

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8), Kellotaajuus: 267MHz,

MT29F1G08ABAFAM78A3WC1

osa: 7652

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Gb (128M x 8),

MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F

osa: 3574

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (512M x 8),

MT25QU512ABB1EW9-0SIT

osa: 3117

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 2.8ms,

MTA4ATF25664HZ-2G6B1

osa: 7767

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 1333MHz,

MT29F4G08ABADAH4-AT:D

osa: 7295

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (512M x 8),

MT44K32M36RB-107E IT:A

osa: 9645

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 1.125Gb (32Mb x 36), Kellotaajuus: 933MHz,

MT40A512M16JY-083E AAT:B

osa: 121

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 8Gb (512M x 16), Kellotaajuus: 1.2GHz,

MT53D384M32D2DS-053 WT ES:E

osa: 4326

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 12Gb (384M x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT61K256M32JE-12:A

osa: 93

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: SGRAM - GDDR6, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 1.5GHz,

MT40A1G8WE-083E AUT:B

osa: 9314

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 8Gb (1G x 8), Kellotaajuus: 1.2GHz,

MT41K256M16TW-107 V:P TR

osa: 6068

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 4Gb (256M x 16), Kellotaajuus: 933MHz,

MT53D384M32D2DS-053 WT:C TR

osa: 6849

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 12Gb (384M x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MTA8ATF1G64HZ-2G3A1

osa: 7816

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 64Gb (1G x 64), Kellotaajuus: 1200MHz,

MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT

osa: 8748

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, RAM, Teknologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM, Muistin koko: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (16M x 32)(LPDRAM), Kellotaajuus: 200MHz,

MT28FW01GABA1HJS-0AAT

osa: 1957

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y TR

osa: 5924

MTA4ATF25664AZ-2G6B1

osa: 7816

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 1333MHz,

MT40A512M16JY-083E AAT:B TR

osa: 3178

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 8Gb (512M x 16), Kellotaajuus: 1.2GHz,

MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR

osa: 5678

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (256M x 16),

MT53D768M64D8JS-053 WT:D

osa: 5195

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 48Gb (768M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT53B1536M32D8QD-053 WT:D

osa: 5121

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 6Gb (1.5G x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT53D1024M32D4NQ-046 AIT:D TR

osa: 6605

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (1G x 32), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT53D512M32D2NP-046 AIT:D TR

osa: 6912

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT44K64M18RB-107E IT:A

osa: 4876

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 1.125Gb (64Mb x 18), Kellotaajuus: 933MHz,

MT41K256M16V90BWC1

osa: 7966

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 4Gb (256M x 16),

MT53D384M32D2DS-053 AUT:C

osa: 4508

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 12Gb (384M x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT29F4G08ABADAWP-AT:D

osa: 9093

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (512M x 8),

MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR

osa: 1619

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (4G x 1),

MT29F8G08ABACAH4-ITS:C

osa: 3779

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 8Gb (1G x 8),

MT40A2G4SA-062E:E TR

osa: 105

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 8Gb (2G x 4), Kellotaajuus: 1.6GHz,

MT29F512G08CECBBJ4-37:B

osa: 9104

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8), Kellotaajuus: 267MHz,

MT41DC11TW-V88A

osa: 4080

MT53B512M32D2NP-062 WT:D

osa: 4351

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT53B1DBNP-DC TR

osa: 6331

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53B1DBNP-DC

osa: 4083

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4,