Muisti

MT48LC16M4A2TG-75:G TR

MT48LC16M4A2TG-75:G TR

osa: 2114

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (16M x 4), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT46V32M8TG-5B:G TR

MT46V32M8TG-5B:G TR

osa: 348

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT48LC4M32B2P-7 IT:G TR

MT48LC4M32B2P-7 IT:G TR

osa: 9510

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 143MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

Toivomuslista
MT46V32M8P-6T:GTR

MT46V32M8P-6T:GTR

osa: 9086

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT47H16M16BG-3:B TR

MT47H16M16BG-3:B TR

osa: 971

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 333MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
M29F200BB70N6T TR

M29F200BB70N6T TR

osa: 910

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivomuslista
PC28F800C3BD70A

PC28F800C3BD70A

osa: 8403

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - Boot Block, Muistin koko: 8Mb (512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivomuslista
MT53D1024M32D4BD-053 WT:D

MT53D1024M32D4BD-053 WT:D

osa: 43

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (1G x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

Toivomuslista
MT48LC4M16A2P-75:G TR

MT48LC4M16A2P-75:G TR

osa: 1484

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT44K64M18RB-107E:A TR

MT44K64M18RB-107E:A TR

osa: 1231

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 1.125Gb (64Mb x 18), Kellotaajuus: 933MHz,

Toivomuslista
MT46V128M4BN-5B:F TR

MT46V128M4BN-5B:F TR

osa: 6620

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (128M x 4), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT46V16M16FG-5B:F TR

MT46V16M16FG-5B:F TR

osa: 146

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT47H32M16CC-37E IT:B

MT47H32M16CC-37E IT:B

osa: 2850

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 267MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D TR

MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D TR

osa: 101

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (1G x 32), Kellotaajuus: 2133MHz,

Toivomuslista
MT46V64M4FG-5B:G TR

MT46V64M4FG-5B:G TR

osa: 407

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (64M x 4), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
M25P10-AVMN6P

M25P10-AVMN6P

osa: 7355

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 50MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ms, 5ms,

Toivomuslista
MT46V128M4BN-6:F

MT46V128M4BN-6:F

osa: 6532

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (128M x 4), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT49H16M36SJ-18 IT:B TR

MT49H16M36SJ-18 IT:B TR

osa: 1228

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (16M x 36), Kellotaajuus: 533MHz,

Toivomuslista
MT46V32M16P-6T L:F

MT46V32M16P-6T L:F

osa: 7222

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT46V64M4BG-6:GTR

MT46V64M4BG-6:GTR

osa: 9119

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (64M x 4), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
M29F040B90N6

M29F040B90N6

osa: 8840

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 90ns,

Toivomuslista
MT46V8M16P-6T:D TR

MT46V8M16P-6T:D TR

osa: 2970

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
M29DW323DB70N6

M29DW323DB70N6

osa: 8794

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivomuslista
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A TR

MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A TR

osa: 699

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),

Toivomuslista
MT29F4G08BABWP-ET TR

MT29F4G08BABWP-ET TR

osa: 6284

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (512M x 8),

Toivomuslista
MT46V64M8TG-6T:D TR

MT46V64M8TG-6T:D TR

osa: 839

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT46V64M8P-6T:F TR

MT46V64M8P-6T:F TR

osa: 9205

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR

MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR

osa: 1287

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

Toivomuslista
MT48LC8M8A2TG-75:G TR

MT48LC8M8A2TG-75:G TR

osa: 2039

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (8M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT48LC2M32B2TG-7:G TR

MT48LC2M32B2TG-7:G TR

osa: 1263

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 143MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

Toivomuslista
MTFC64GAKAEYF-4M IT TR

MTFC64GAKAEYF-4M IT TR

osa: 104

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8),

Toivomuslista
MT48LC4M16A2P-75 IT:G TR

MT48LC4M16A2P-75 IT:G TR

osa: 1431

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT48V8M32LFB5-8 IT TR

MT48V8M32LFB5-8 IT TR

osa: 2018

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 125MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT48LC16M16A2TG-75 L:D TR

MT48LC16M16A2TG-75 L:D TR

osa: 1176

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D

MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D

osa: 132

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (1G x 32), Kellotaajuus: 2133MHz,

Toivomuslista
MT46V32M16FN-6 IT:F TR

MT46V32M16FN-6 IT:F TR

osa: 7155

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista